"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рассеяние электронов в Delta1-модели зоны проводимости монокристаллов германия
Лунев С.В.1, Бурбан О.В.1, Назарчук П.Ф.1
1Луцкий национальный технический университет, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 28 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Исследовано рассеяние электронов в возможных Delta1-моделях зоны проводимости кристаллов германия, созданных гидростатическим или одноосным давлением. На основании теории анизотропного рассеяния получены температурные зависимости параметра анизотропии времен релаксации и подвижности электронов для этих моделей в условиях рассеяния на ионах примеси, акустических и междолинных фононах. Анализ температурных зависимостей указывает, что в температурном интервале 77-300 K существенным становится междолинное рассеяние. Только для Delta1-модели, созданной одноосным давлением вдоль кристаллографического направления [100], рассеяние электронов на междолинных фононах, которые соответствуют g-переходам, является второстепенным по отношению к рассеянию на акустических фононах (внутридолинное рассеяние) и ионах примеси.
  1. А.А. Selesniov, А.Y. Aleinikov, P.V. Ermakov, N.S. Ganchuk, S.N. Ganchuk, R.E. Jones. Phys. Sol. St., 54 (3), 436 (2012)
  2. S.W. Leman, S.A. Hertel, P. Kim, B. Cabrera, E. Do Couto E Silva, E. Figueroa-Feliciano, K.A. McCarthy, R. Resch, B. Sadoulet, K.M. Sundqvist. J. Low Temp. Phys., 166, 1106 (2012)
  3. А.П. Оксанич, В.В. Малеванный. Вестн. Кременчуг. нац. ун-та им. М. Остроградского, 78 (1), 18 (2013)
  4. Kobayashi Masaharu, Irisawa, Toshifumi, Magyari-Kope, Blanka, Saraswat Krishna, Hon-Sum Philip Wong, Nishi Yo-shio. Electron Dev., 57 (5), 1037 (2010)
  5. M. Kobayashi, T. Irisawa, B.M. Kope, Yun Sun, K. Saraswat, H.-S.P. Wong, P. Pianetta, Y. Nishi. VLSI Technology, (2009) p. 76
  6. Choi Youn Sung, Lim Ji-Song, Numata Toshinori, Nishida Toshikazu, E.S. Thompson. J. Appl. Phys., 102 (10), 104 507 (2007)
  7. J. Greil, A. Lugstein, C. Zeiner, G. Strasser, E. Bertagnolli. Nano Lett., 12, 6230 (2012)
  8. C. Jacoboni, F. Nava, C. Canali, G. Ottaviani. Phys. Rev. B, 24, 1014 (1981)
  9. С.В. Лунев, П.Ф. Назарчук, О.В. Бурбан. Матер. 6-й Междунар. науч. конф. РНАОПМ (Украина, Луцк, 2012) c. 42
  10. S.V. Luniov, P.F. Nazarchuk, O.V. Burban. Semiconductors, 48 (4), 438 (2014)
  11. W. Fawcett, E.G.S. Paige. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 4, 1801 (1971)
  12. C. Herring, E. Vogt. Phys. Rev., 101 (3), 944 (1956)
  13. П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977) c. 269
  14. S.V. Luniov, P.F. Nazarchuk, O.V. Burban. J. Phys. Study, 3, 3702 (2013)
  15. C.N. Ahmad, A.R. Adams. Phys. Rev. B, 34, 2319 (1986)
  16. Г.Л. Бир. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) c. 584

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.