"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование "квазимолекул" S2 в кремнии, легированном серой
Шуман В.Б.1, Порцель Л.М.1, Лодыгин А.Н.1, Астров Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Исследована кинетика образования комплекса S2 в кремнии, легированном серой. Показано сходство процесса образования "квазимолекул" халькогена в Si : S и Si : Se. Разница состоит в величине энергии связи в "квазимолекуле" --- для S2 она в 1.5 раза ниже, чем для комплекса Se2.
  1. E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1984)
  2. S.D. Brotherton, M.J. Kling, G.J. Parker. J. Appl. Phys., 52, 4649 (1981)
  3. А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 1306 (1998)
  4. А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 36, 641 (2002)
  5. Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, V.B. Shuman. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 021 (2011)
  6. Ю.А. Астров, S.A. Lynch, В.Б. Шуман, Л.М. Порцель, А.А. Махова, А.Н. Лодыгин. ФТП, 47, 211 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.