"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы при комнатной температуре
Захарьин А.О.1, Бобылев А.В.1,2, Егоров С.В.1,3, Андрианов А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный горный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Обнаружено и исследовано терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы (Si:B и Ge:Ga) при комнатной температуре излучением полупродникового лазера видимого диапазона (660 нм). Установлено, что интенсивность излучения значительно возрастает при возрастании температуры кристалла выше комнатной, а спектр излучения при этом смещается в сторону высоких частот. Спектры терагерцового излучения германия и кремния мало различаются между собой. Зависимость интенсивности излучения от интенсивности накачки близка к линейной. Установленные закономерности позволяют связать наблюдаемое терагерцовое излучение с эффектом разогрева кристалла в области поглощения излучения накачки.
  1. P.H. Siegel. IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 50, 910 (2002)
  2. S.H. Koenig, R.D. Brown. Phys. Rev. Lett. 4, 170 (1960)
  3. T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.-C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83, 713 (2003)
  4. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма ЖЭТФ, 79, 448 (2004)
  5. P.-C. Lv, R.T. Troeger, T.N. Adam, S. Kim, J. Klodzey, I.N. Yassievich, M.A. Odnobludov, M.S. Kagan. Appl. Phys. Lett., 85, 22 (2004)
  6. P.-C. Lv, R.T. Troeger, X. Zhang, T.N. Adam, J. Klodzey, I.N. Yassievich, M.A. Odnobludov. J. Appl. Phys., 98, 093 710 (2005)
  7. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма ЖЭТФ, 83, 410 (2006)
  8. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Одноблюдов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 115, 89 (1999)
  9. Yu.P. Gousev, I.V. Altukhov, K.A. Korolev, V.P. Sinis, M.S. Kagan, E.E. Haller, M.A. Odnobludov, I.N. Yassievich, K.-A. Chao. Appl. Phys. Lett., 75, 757 (1999)
  10. G. Xuan, S. Kim, M. Coppinger, N. Sustersic, J. Kolodzey, P.-C. Lv. Appl. Phys. Lett., 91, 061 109 (2007)
  11. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, Ю.Л. Иванов, М.С. Кипа. Письма ЖЭТФ, 91, 102 (2010)
  12. A.O. Zakhar'in, A.V. Andrianov, A.Yu. Egorov, N.N. Zinov'ev. Appl. Phys. Lett., 96, 211 118 (2010)
  13. А.О. Захарьин, А.В. Бобылев, А.В. Андрианов. ФТП, 46, 1158 (2012)
  14. V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, G.A. Melentyev, A.V. Antonov, V.I. Gavrilenko, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, S. Suihkonen, P.T. Torma, M. Ali, H. Lipsanen. J. Appl. Phys., 106, 123 523 (2009)
  15. H. Dezaki, J. Menglong, S. Balasekaran, T. Tanabe, Y. Oyama. Key Eng. Mater., 500, 66 (2012)
  16. Н.Н. Зиновьев, А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Л.В. Беляков, О.М. Сресели, Г. Хилл, Дж.М. Чемберлен. ФТП, 36, 234 (2002)
  17. W.C. Dash, R. Newman. Phys. Rev., 99, 1151 (1955).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.