Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы при комнатной температуре
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный горный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный горный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
Обнаружено и исследовано терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы (Si:B и Ge:Ga) при комнатной температуре излучением полупродникового лазера видимого диапазона (660 нм). Установлено, что интенсивность излучения значительно возрастает при возрастании температуры кристалла выше комнатной, а спектр излучения при этом смещается в сторону высоких частот. Спектры терагерцового излучения германия и кремния мало различаются между собой. Зависимость интенсивности излучения от интенсивности накачки близка к линейной. Установленные закономерности позволяют связать наблюдаемое терагерцовое излучение с эффектом разогрева кристалла в области поглощения излучения накачки.
- P.H. Siegel. IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 50, 910 (2002)
- S.H. Koenig, R.D. Brown. Phys. Rev. Lett. 4, 170 (1960)
- T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.-C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83, 713 (2003)
- А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма ЖЭТФ, 79, 448 (2004)
- P.-C. Lv, R.T. Troeger, T.N. Adam, S. Kim, J. Klodzey, I.N. Yassievich, M.A. Odnobludov, M.S. Kagan. Appl. Phys. Lett., 85, 22 (2004)
- P.-C. Lv, R.T. Troeger, X. Zhang, T.N. Adam, J. Klodzey, I.N. Yassievich, M.A. Odnobludov. J. Appl. Phys., 98, 093 710 (2005)
- А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма ЖЭТФ, 83, 410 (2006)
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Одноблюдов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 115, 89 (1999)
- Yu.P. Gousev, I.V. Altukhov, K.A. Korolev, V.P. Sinis, M.S. Kagan, E.E. Haller, M.A. Odnobludov, I.N. Yassievich, K.-A. Chao. Appl. Phys. Lett., 75, 757 (1999)
- G. Xuan, S. Kim, M. Coppinger, N. Sustersic, J. Kolodzey, P.-C. Lv. Appl. Phys. Lett., 91, 061 109 (2007)
- А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, Ю.Л. Иванов, М.С. Кипа. Письма ЖЭТФ, 91, 102 (2010)
- A.O. Zakhar'in, A.V. Andrianov, A.Yu. Egorov, N.N. Zinov'ev. Appl. Phys. Lett., 96, 211 118 (2010)
- А.О. Захарьин, А.В. Бобылев, А.В. Андрианов. ФТП, 46, 1158 (2012)
- V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, G.A. Melentyev, A.V. Antonov, V.I. Gavrilenko, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, S. Suihkonen, P.T. Torma, M. Ali, H. Lipsanen. J. Appl. Phys., 106, 123 523 (2009)
- H. Dezaki, J. Menglong, S. Balasekaran, T. Tanabe, Y. Oyama. Key Eng. Mater., 500, 66 (2012)
- Н.Н. Зиновьев, А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Л.В. Беляков, О.М. Сресели, Г. Хилл, Дж.М. Чемберлен. ФТП, 36, 234 (2002)
- W.C. Dash, R. Newman. Phys. Rev., 99, 1151 (1955).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
