"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Lu
Ромака В.А.1,2, Rogl P.3, Ромака В.В.2, Kaczorowski D.4, Стаднык Ю.В.4, Корж Р.О.2, Крайовский В.Я.2, Ковбасюк Т.М.2
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
Поступила в редакцию: 10 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Lu, в диапазонах: T=80-400 K, NLuA~ 1.9 · 1020-1.9·1021 см-3 (x=0.01-0.10) и H≤ 10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ~1% атомов Ni из позиции Hf ( 4a), генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Ni в позиции 4 c атомами Lu и генерировании дефектов донорной природы в виде вакансий в позиции Sn (4 b). Результаты расчета электронной структуры Hf1-xLuxNiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского--Эфроса.
  1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  2. В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 46 (9), 1130 (2012)
  3. В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромакa, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 47 (9), 1157 (2013)
  4. R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
  5. Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык, В.К. Печарский. Письма ЖЭТФ, 45 (11), 535 (1987)
  6. S. Ogut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51 (16), 10 443 (1995)
  7. C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. B, 59 (13), 8615 (1999)
  8. T.M. Tritt, M.A. Sabramanian. MRS Bulletin, 31 (3), 188 (2006)
  9. В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
  10. T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378-- 381, 118 (2001)
  11. M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
  12. V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N.Y., Pergamon Press, 1978)
  13. V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)
  14. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41 (9), 1059 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.