Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Lu
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина 
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
Поступила в редакцию: 10 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Lu, в диапазонах: T=80-400 K, NLuA~ 1.9 · 1020-1.9·1021 см-3 (x=0.01-0.10) и H≤ 10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ~1% атомов Ni из позиции Hf ( 4a), генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Ni в позиции 4 c атомами Lu и генерировании дефектов донорной природы в виде вакансий в позиции Sn (4 b). Результаты расчета электронной структуры Hf1-xLuxNiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 46 (9), 1130 (2012)
- В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромакa, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 47 (9), 1157 (2013)
- R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
- Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык, В.К. Печарский. Письма ЖЭТФ, 45 (11), 535 (1987)
- S. Ogut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51 (16), 10 443 (1995)
- C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. B, 59 (13), 8615 (1999)
- T.M. Tritt, M.A. Sabramanian. MRS Bulletin, 31 (3), 188 (2006)
- В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
- T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378-- 381, 118 (2001)
- M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
- V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N.Y., Pergamon Press, 1978)
- V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)
- В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41 (9), 1059 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
