"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/ InGaAs/InAlAs
Галиев Г.Б.1, Васильевский И.С.2, Климов Е.А.1, Клочков А.Н.1, Лаврухин Д.В.1, Пушкарёв С.С.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Исследованы особенности фотолюминесценции и электрофизические свойства легированных наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащей тонкую вставку InAs толщиной от 1.7 до 3.0 нм в центре. Установлено, что положение максимумов на спектрах фотолюминесценции в области энергий фотонов 0.6-0.8 эВ отслеживает изменение толщины вставки InAs. Моделирование зонной структуры показало, что наблюдаемое изменение энергии оптических переходов связано с понижением энергии электронных и дырочных состояний в квантовой яме при увеличении толщины вставки. В диапазоне энергий фотонов 1.24-1.38 эВ обнаружены оптические переходы от области интерфейса "буфер InAlAs-подложка InP". Энергия и интенсивность сигнала зависят от особенностей формирования данной гетерограницы и условий отжига подложки. Предполагается, что это связано с образованием переходной области между буфером InAlAs и подложкой.
  1. D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Trans. Electron Dev., 57 (7), 1504 (2010)
  2. D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 31 (8), 806 (2010)
  3. M. Tacano, Y. Sugiyama, Y. Takeuchi. Appl. Phys. Lett., 58, 2420 (1991)
  4. V. Drouot, M. Gendry, C. Santinelli et al. IEEE Trans. Electron Dev., 43 (9), 1326 (1996)
  5. J. Pamulapati, R. Lai, G.I. Ng, Y.C. Chen, P.R. Berger, P.K. Bhattacharya, J. Singh, D. Pavlidis. J. Appl. Phys., 68, 347 (1990)
  6. L.D. Nguyen, D.C. Radulescu, M.C. Foisy, P.J. Tasker, L.F. Eastman. IEEE Trans. Electron Dev., 36 (5), 833 (1989)
  7. U. Wiesner, J. Pillath, W. Bauhofer, A. Kohl, A. Mesquida Kusters, S. Brittner, K. Heime. Appl. Phys. Lett., 64, 2520 (1994)
  8. T. Akazaki, K. Arai, T. Enoki, Y. Ishii. IEEE Electron Dev. Lett., 13, 325 (1992)
  9. N. Maeda, H. Ito, T. Enoki, Y. Ishii. J. Appl. Phys., 81 (3), 1552 (1997)
  10. M. Sexl, G. Bohm, D. Xu, H. Heib, S. Kraus, G. Trankle, G. Weiman. J. Cryst. Growth, 175/176, 915 (1997)
  11. T. Nakayama, H. Miyamoto. J. Cryst. Growth, 201/202, 782 (1999)
  12. Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева. ФТП, 46 (4), 500 (2012)
  13. A. Richter, M. Koch, T. Matsuyama et al. Appl. Phys. Lett., 77, 3227 (2000)
  14. T. Akazaki, J. Nitta, H. Takayanagi et al. J. Electron. Mater., 25, 745 (1996)
  15. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, К. Пожела, Ю. Пожела, В. Юцене, А. Сужеделис, Н. Жураускене, С. Кершулис, В. Станкевич. ФТП, 45 (9), 1214 (2011)
  16. K. Pozela, A. Silenas, J. Pozela, V. Juciene, G.B. Galiev, J.S. Vasil'evskii, E.A. Klimov. Appl. Phys. A, 109, 233 (2012)
  17. S.K. Brierley. J. Appl. Phys., 74 (4), 2760 (1993)
  18. J.M. Gilperez, J.L. Sanchez-Rojas, E. Munoz, E. Calleja, J.P.R. David, M. Reddy, G. Hill, J. Sanchez-Dehesa. J. Appl. Phys., 76 (10), 5931 (1994)
  19. M. Wojtowicz, D. Pascua, A.-C. Han, T.R. Block, D.C. Streit. J. Cryst. Growth, 175/176, 930 (1997)
  20. Н.Г. Яременко, Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, М.В. Карачевцева, В.А. Страхов. РЭ, 58 (3), 276 (2013)
  21. H. Brugger, H. Mussig, C. Wolk, K. Kern, D. Heitmann. Appl. Phys. Lett., 59, 2739 (1991)
  22. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (5), 658 (2014)
  23. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (7), 909 (2014)
  24. L.J. Cui, Y.P. Zeng, B.Q. Wang, Z.P. Zhu, S.L. Guo, J.H. Chu. J. Appl. Phys., 100, 033 705 (2006)
  25. X.Z. Shang, J. Wu, W.C. Wang, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou. Sol. St. Electron., 51, 85 (2007)
  26. K. Watanabe, H. Yokoyama. J. Appl. Phys., 86, 4333 (1999)
  27. M. Haupt, K. Kohler, P. Ganser, S. Emminger, S. Muller, W. Rothemund. Appl. Phys. Lett., 69, 412 (1996)
  28. M. Gendry, V. Drouot, C. Santinelli, G. Hollinger. Appl. Phys. Lett., 60, 2249 (1992)
  29. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. App. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  30. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, 2009) p. 157
  31. D. Vignaud, X. Wallart, F. Mollot, B. Semage. J. Appl. Phys., 84 (4), 2138 (1998)
  32. V. Duez, O. Vanbesien, D. Lippens, D. Vignaud, X. Wallart, F. Mollot. J. Appl. Phys., 85 (4), 2202 (1999)
  33. D. Vignaud, X. Wallart, F. Mollot. J. Appl. Phys., 76 (4), 2324 (1994)
  34. S.M. Olsthoorn, F.A.J.M. Driessen, L.J. Giling. J. Appl. Phys., 73 (11), 7804 (1993)
  35. M.J.S.P. Brasil, R.E. Nahory, W.E. Quinn, M.C. Tamargo, H.H. Farell. Appl. Phys. Lett., 60 (16), 1981 (1992)
  36. J. Hellara, K. Borgi, H. Maaref, V. Souliere, Y. Montecl. Mater. Sci. Engin. C, 21, 231 (2002)
  37. J. Bohrer, A. Krost, R. Heitz, F. Heinrichsdorff, L. Eckey, D. Bimberg, H. Cerva. Appl. Phys. Lett., 68 (8), 1072 (1996)
  38. Yuwei Liu, Hong Wang. J. Appl. Phys., 100, 034 505 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.