Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/ InGaAs/GaAs pHEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский национальный исследователький государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский национальный исследователький государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.
Изучена фотолюминесценция AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием AlGaAs-барьеров. Обнаружено, что введение в конструкцию дополнительных p+ легированных слоев AlGaAs приводит к появлению новых полос в спектрах фотолюминесценции. Данные полосы идентифицированы как переходы между: 1) донорно-акцепторными парами в легированных AlGaAs-слоях и 2) подзоной проводимости и акцепторным уровнем в нелегированной яме InGaAs.
- В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, Е.И. Голант, А.А. Капралова. ФТП, 48, 684 (2014)
- Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures, ed. by Giovanni Agostini and Carlo Lamberti (Elsevier, 2013)
- M. Wojtowicz, D. Pascua, A.-C. Han, T.R. Block, D.C. Streit. J. Cryst. Growth, 175--176, 930 (1997)
- Xin Cao, Yiping Zeng, Lijie Cui, Meiying Kong, Liang Pan, Baoqiang Wang, Zhanping Zhu. J. of Cryst. Growth, 227--228, 127 (2001)
- A.Z.M. Touhidul Islam, K. Hatta, N. Murakoshi, T. Fukuda, T. Takada, T. Itatani, N. Kamata. Global Sci. Techn. J., 1, 1 (2013)
- Р.А. Хаббибулин, И.С. Василевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45, 666 (2011)
- S. Guha, Q. Cai, M. Chandrasekhar, H.R. Chandrasekhar, Hyunjung Kim, A.D. Alvarenga, R. Vogelgesang, A.K. Ramdas, M.R. Melloch. PRB, 58, 7222 (1998)
- В.Б. Тимофеев, А.И. Тартаковский, А.И. Филин, D. Birkedal, J. Hvam. ФТТ, 40, 833 (1998)
- Properties of Aluminium Gallium Arsenide, ed. by Sadao Adachi (London, INSPEC, 1993) Datareviews Series N 7
- D.C. Look, G.S. Pomrenke. J. Appl. Phys., 54, 3249 (1983)
- M.J. Puska. J. Phys.: Condens. Matter, 1, 7347 (1989)
- P.J. Dean. Progress in Solid State Chemistry, ed. by J.O. McCaldin, G. Somorjai (Pergamon, N.Y., 1973) v. 8
- T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. PRB, 45, 8989 (1992)
- A. Chiari, M. Colocci, F. Fermi, Li Yuzhang, R. Querzoli, A. Vinattieri, Weihua Zhuang. Phys. Status Solidi B, 147, 421 (1988)
- Properties of Lattice-matched and strained InGaAs, ed. by Pallab Bhattacharya (London, INSPEC, 1993) Datareviews Series N 8
- J. Nagle, R.J. Malik, D. Gershoni. J. Cryst. Growth, 111, 264 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
