Вышедшие номера
Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/ InGaAs/GaAs pHEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров
Гуляев Д.В.1, Журавлев К.С.1,2, Бакаров А.К.1,2, Торопов А.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский национальный исследователький государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Изучена фотолюминесценция AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием AlGaAs-барьеров. Обнаружено, что введение в конструкцию дополнительных p+ легированных слоев AlGaAs приводит к появлению новых полос в спектрах фотолюминесценции. Данные полосы идентифицированы как переходы между: 1) донорно-акцепторными парами в легированных AlGaAs-слоях и 2) подзоной проводимости и акцепторным уровнем в нелегированной яме InGaAs.