"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10--14 марта 2014 г. Влияние пространственного расположения delta-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
Волкова Н.С.1, Горшков А.П.1, Тихов C.В.1, Байдусь Н.В.2, Хазанова С.В.1, Дегтярев В.Е.1, Филатов Д.О.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Исследованы спектры фоточувствительности, фотолюминесценции и электролюминесценции диодных гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с delta-слоем Si, сформированным на расстоянии 10 нм от квантовой ямы InGaAs. Установлено влияние расположения delta-слоя относительно квантовой ямы на оптоэлектронные свойства структур.
  1. E.F. Schubert, J.B. Stark, B. Ullrich, J.E. Cunningham. Appl. Phys. Lett., 52, 1508 (1988)
  2. А.В. Мурель, А.В. Новиков, В.И. Шашкин, Д.В. Юрасов. ФТП, 46, 1384 (2012)
  3. С.В. Тихов, И.А. Карпович, В.Г. Тестов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 1, 31 (2013)
  4. A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett., 95, 017 201 (2005)
  5. H.-S. Yoon, J.-H. Lee, B.-S. Park, Ch.-E. Yun, Ch.-S. Park. J. Korean Phys. Soc., 33, 741 (1998)
  6. H.-C. Chiu, C.-S. Cheng, C.-C. Wei. Semicond. Sci. Technol., 21, 1432 (2006)
  7. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
  8. H.M. Shieh, W.C. Hsu, C.L. Wu. Appl. Phys. Lett., 63 (4), 509 (1993)
  9. X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. Sol. St. Electron., 45, 751 (2001)
  10. Zh. Huang, R. Yu, Ch. Jiang, T. Lin, Zh. Zhang, J. Chu. Phys. Rev. B, 65, 205 312 (2002)
  11. Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45, 666 (2011)
  12. V.V. Vainberg, A.S. Pylypchuk, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 16 (2), 152 (2013)
  13. В.В. Русаков, Г.Н. Травлеев. Микроэлектроника, 8 (2), 177 (1979)
  14. С.В. Тихов, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, С.В. Хазанова. ФТП, 46, 1532 (2012)
  15. И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 30, 1745 (1996)
  16. Н.С. Волкова, А.П. Горшков, И.А. Карпович. Вестн. Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского. Сер. физ., 2 (1), 34 (2012)
  17. J. Nelson, M. Paxman, K.W.J. Barnham, J.S. Roberts, C. Button. IEEE J. Quant. Electron., 29 (6), 1460 (1993)
  18. В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, Л.В. Гавриленко, З.Ф. Красильник, Д.И. Курицын, Д.И. Крыжков, С.В. Морозов. ФТП, 46, 940 (2012)
  19. N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, S.V. Khasanova, B.N. Zvonkov, H.P. van der Meulen, J.M. Calleja, L. Vina. EPL, 98, 27 012 (2012)
  20. D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, T.H. Wood, C.A. Burrus. Phys. Rev. B, 32, 1043 (1985)
  21. А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 5, 25 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.