Вышедшие номера
XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10--14 марта 2014 г. Влияние пространственного расположения delta-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
Волкова Н.С.1, Горшков А.П.1, Тихов C.В.1, Байдусь Н.В.2, Хазанова С.В.1, Дегтярев В.Е.1, Филатов Д.О.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Исследованы спектры фоточувствительности, фотолюминесценции и электролюминесценции диодных гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с delta-слоем Si, сформированным на расстоянии 10 нм от квантовой ямы InGaAs. Установлено влияние расположения delta-слоя относительно квантовой ямы на оптоэлектронные свойства структур.