Вышедшие номера
XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10--14 марта 2014 г. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием
Павлов Д.А., Байдусь Н.В.1, Бобров А.И., Вихрова О.В.1, Волкова Е.И., Звонков Б.Н.1, Малехонова Н.В., Сорокин Д.С.
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Методом геометрической фазы показано распределение упругих деформаций в системе, состоящей из слоя квантовых точек и захороненного под ним слоя фосфидированного арсенида галлия. Предложена гипотеза о возможности управления процессом формирования квантовых точек InAs в матрице GaAs посредством локального изовалентного введения фосфора.