XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10--14 марта 2014 г. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием
Павлов Д.А., Байдусь Н.В.1, Бобров А.И., Вихрова О.В.1, Волкова Е.И., Звонков Б.Н.1, Малехонова Н.В., Сорокин Д.С.
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Методом геометрической фазы показано распределение упругих деформаций в системе, состоящей из слоя квантовых точек и захороненного под ним слоя фосфидированного арсенида галлия. Предложена гипотеза о возможности управления процессом формирования квантовых точек InAs в матрице GaAs посредством локального изовалентного введения фосфора.
- N. Nuntawong, Y.C. Xin, S. Birudavolu, P.S. Wong, S. Huang, C.P. Hains, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 86, 193 115 (2005)
- R.B. Laghumavarapu, M. El-Emawy, N. Nuntawong, A. Moscho, L.F. Lester, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 91, 243 115 (2007)
- V.G. Talalaev, J.W. Tomm, N.D. Zakharov, P. Werner, B.V. Novikov, A.A. Tonkikh. Appl. Phys. Lett., 85 (2), 284 (2004)
- M. Hanke D. Grigoriev, M. Schmidbauer, P. Scafer, R. Kohler, R.L. Sellin, U.W. Pohl, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 85 (15), 3062 (2004)
- N. Shtinkov. J. Appl. Phys., 114, 243 513 (2013)
- M.J. Hytch. Scanning Microscopy. 11, 53 (1997)
- A. Beche, J.L. Rouvi\`ere, J.P. Barnes, D. Cooper. Ultramicroscopy, 131, 10 (2013)
- David B. Williams, C. Barry Carter. A Textbook for Materials Science (Springer, N. Y., 2009)
- N. Cherkashin, S. Reboh, M.J. Hytch, A. Claverie, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.V. Chaldyshev. Appl. Phys. Lett. 102, 173 115 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.