"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства нитевидных наноструктур, полученных металлстимулированным химическим травлением пластин слабо легированного кристаллического кремния
Гончар К.А.1, Осминкина Л.А.1, Сиваков В.2, Лысенко В.3, Тимошенко В.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Leibniz Institute of Photonic Technology, Jena, Germany
3Nanotechnology Institute of Lyon, INSA de Lyon, France
Поступила в редакцию: 28 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Методами спектроскопии отражения, комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции были исследованы слои кремниевых нанонитей с диаметрами 20-200 нм, выращенных металлстимулированным травлением монокристаллических кремниевых подложек p-типа с удельным сопротивлением 1-20 Ом·см и ориентацией поверхности (100), полученных от трех компаний-производителей и характеризующихся различным временем жизни фотовозбужденных носителей заряда. Установлено, что для нанонитей с длиной более 1 мкм интенсивность комбинационного рассеяния в 3-5 раз превышает значение для подложек. Интенсивность межзонной фотолюминесценции на длине волны 1.12 мкм для нанонитей значительно превышала уровень для подложек и была максимальна для образцов с наибольшим объемным временем жизни, что указывает на низкий уровень темпа безызлучательной рекомбинации на поверхности нанонитей.
  1. Y. Cui, L.J. Lauhon, M.S. Gudiksen, J. Wang, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett., 78, 2214 (2001)
  2. F.M. Ross, J. Tersoff, M.C. Reuter. Phys. Rev. Lett., 95, 146 104 (2005)
  3. A.I. Hochbaum, R. Fan, R. He, P. Yang. Nano Lett., 5, 457 (2005)
  4. V. Schmidt, S. Senz, U. Gosele. Nano Lett., 5, 931 (2005)
  5. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, C.M. Lieber. Nature, 409, 66 (2001)
  6. M.D. Kelzenberg, D.B. Turner-Evans, B.M. Kayes, M.A. Filler, M.C. Putnam, N.S. Lewis, H.A. Atwater. Nano Lett., 8, 710 (2008)
  7. Th. Stelzner, M. Pietsch, G. Andra, F. Falk, E. Ose, S.H. Christiansen. Nanotechnology, 19, 295 203 (2008)
  8. E.I. Givargizov. J. Cryst. Growth, 31, 20 (1975)
  9. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  10. M.K. Sunkara, S. Sharma, R. Miranda. Appl. Phys. Lett., 79, 1546 (2001)
  11. C.M. Lieber. MRS Bulletin, 28, 486 (2003)
  12. J.E. Allen, E.R. Hemesath, D.E. Perea, J.L. Lensch-Falk, Z.Y. Li, F. Yin, M.H. Gass, P. Wang, A.L. Bleloch, R.E. Palmer, L.J. Lauhon. Nature Nanotechnol., 3, 168 (2008)
  13. J.B. Hannon, S. Kodambaka F.M. Ross, R.M. Tromp. Nature, 440, 69 (2006)
  14. V. Sivakov, G. Andra, A. Gawlik, A. Berger, J. Plentz, F. Falk, S.H. Christiansen. Nano Lett., 9, 1549 (2009)
  15. K.-Q. Peng, Y.-J. Yan, S.-P. Gao, J. Zhu. Adv. Mater., 14, 1164 (2002)
  16. V.A. Sivakov, G. Bronstrup, B. Pecz, A. Berger, G.Z. Radnoczi, M. Krause, S.H. Christiansen. J. Phys. Chem. C, 114, 3798 (2010)
  17. V.Yu. Timoshenko, K.A. Gonchar, L.A. Golovan, A.I. Efimova, V.A. Sivakov, A. Dellith, S.H. Christiansen. J. Nanoelectron. Optoelectron., 6, 519 (2011)
  18. К.А. Гончар, Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, В.А. Сиваков, С. Кристиансен. Изв. РАН. Сер. физ., 74, 1782 (2010)
  19. К.В. Буньков, Л.А. Головань, К.А. Гончар, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, M. Kulmas, V. Sivakov. ФТП, 47, 329 (2013)
  20. L.A. Osminkina, K.A. Gonchar, V.S. Marshov, K.V. Bunkov, D.V. Petrov, L.A. Golovan, F. Talkenberg, V.A. Sivakov, V.Yu. Timoshenko. Nanoscale Res. Lett., 7, 524 (2012)
  21. L.A. Golovan, K.A. Gonchar, L.A. Osminkina, V.Yu. Timoshenko, G.I. Petrov, V.V. Yakovlev. Laser Phys. Lett., 9, 145 (2012)
  22. K.A. Gonchar, L.A. Osminkina, R.A. Galkin, M.B. Gongalsky, V.S. Marshov, V.Yu. Timoshenko, M.N. Kulmas, V.V. Solovyev, A.A. Kudryavtsev, V.A. Sivakov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 7, 602 (2012)
  23. Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. УФН, 177, 619 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.