Вышедшие номера
Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge2Sb2Te5, полученные методом лазерного электродиспергирования
Явсин Д.А.1, Кожевин В.М.1, Гуревич С.А.1, Яковлев С.А.1, Мелех Б.Т.1, Яговкина М.А.1, Певцов А.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Методом лазерного электродиспергирования получены аморфные наноструктурированные пленки сложного халькогенида (Ge2Sb2Te5) и исследованы их структурные и электрические свойства. Установлено, что характерный размер аморфных наночастиц Ge2Sb2Te5 в структуре пленок составляет 1.5-5 нм.