"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термостимулированное излучение в диапазоне 3-15 ТГц на частотах плазмон-фононов в полярных полупроводниках
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Шиленас А.1, Ширмулис Э.1, Кашалинас И.1, Юцене В.1, Венцкявичус Р.1
1Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 14 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Рассмотрены возможности выделения терагерцового (ТГц) излучения заданной частоты с высоким уровнем когерентности из некогерентного теплового излучения горячего тела. Экспериментально показано, что гладкая (без дифракционных направляющих) плоская поверхность нагретых пластин GaAs и AlGaAs испускает непрерывное направленное ТГц излучение на частотах связанных колебаний поверхностных плазмон-фононов. Измерение спектра коэффициента отражения ТГц излучения демонстрируется как метод идентификации частот плазмонов, оптических фононов и связанных плазмон-фононных колебаний в полупроводниках.
  1. D.N. Mirlin. In: Surface Polaritons, ed. by V.M. Agranovich, D.L. Mills (Amsterdam, North-Holland Publishing Company, 1982) p. 3
  2. W. Knap, H. Videlier, S. Nadar, D. Coquillat, N. Dyakonova, F. Teppe, M. Bialek, M. Grynberg, K. Karpierz, J. Lusakowski, K. Nogajewski, D. Seliuta, I. Kav salynas, G. Valuv sis. Opto-Electronics Rev., 18 (3), 225 (2010)
  3. A.V. Muravjov, D.B. Veksler, V.V. Popov, O. Polischuk, X. Hu, R. Gaska, N. Pala, H. Saxena, R.E. Peale, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 96, 042 105 (2010)
  4. W.L. Barnes, A. Dereux, W. Ebbesen. Nature, 424, 824 (2003)
  5. H. Raether. Surface Plasmons on Smooth and Rough Surfaces and on Gratings (Berlin, Springer, 1988)
  6. I. Balin, N. Dahan, V. Kleiner, E. Hasman. Appl. Phys. Lett., 94, 111 112 (2009)
  7. I.A. Dorofeyev, E.A. Vinogradov. Phys. Rep., 504, 75 (2011)
  8. M.P. Hasselbeck, D. Stalnaker, L.A. Schlie, T.J. Rotter, A. Stintz, M. Sheik-Bahae. Phys. Rev. B, 65, 233 203 (2002)
  9. A.V. Shchegrov, K. Joulain, R. Carminati, J.-J. Greffet. Phys. Rev. Lett., 85, 1548 (2000)
  10. P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors (Berlin, Springer, 2005) p. 298, 339
  11. M. Cardona. Am. J. Phys., 39, 1277 (1971)
  12. J. Pov zela, E. v Sirmulis, K. Pov zela, A. v Silenas, V. Juciene. Phys. Status Solidi C, 9, 1696 (2012)
  13. S. Vassant, F. Marquier, J.J. Greffet, F. Pardo, J.L. Pelouard. Appl. Phys. Lett., 97, 161 101 (2010)
  14. J.J. Ibanes, M.H. Balgos, R. Jaculbia, A. Salvador, A. Somintac, E. Estacio, C.T. Que, S. Tsuzuki, K. Yamamoto, M. Tani. Appl. Phys. Lett., 102, 063 101 (2013)
  15. J. Ibanez, E. Tarhan, A.K. Ramdas, S. Hernandez, R. Cusco, L. Artus, M.R. Melloch, M. Hopkinson. Phys. Rev. B, 69, 075 314 (2004)
  16. P.K. Jha, X. Yin, X. Zhang. Appl. Phys. Lett., 102, 091 111 (2013)
  17. J.-J. Greffet, R. Carminati, K. Joulain, J.-P. Mulet, S. Mainguy, Y. Chen. Nature, 416, 61 (2002)
  18. R. Carminati, J.-J. Greffet. Phys. Rev. Lett., 82, 1660 (1999)
  19. M. Geiser, G. Scalari, F. Castellano, M. Beck, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 101, 141 118 (2012)
  20. D.V. Seletskiy, M.P. Hasselbeck, J.G. Cederberg, A. Katzenmeyer, M.E. Toimil-Molares, F. Leonard, A.A. Talin, M. Sheik-Bahae. Phys. Rev. B, 84, 115 421 (2011)
  21. J. Le Gall, M. Olivier, J.-J. Greffet. Phys. Rev. B, 55, 10 105 (1997)
  22. E. v Sirmulis, A. v Silenas, K. Pov zela, J. Pov zela, V. Juciene. Appl. Phys. A, 115, 199 (2014)
  23. J. Pov zela, K. Pov zela, A. v Silenas, E. v Sirmulis, V. Juciene. Appl. Phys. A, 110, 153 (2013)
  24. P.M. Nikolic, K.M. Paraskevopoulos, E. Pavlidou, T.T. Zorba, T. Ivetic, S.S. Vujatovic, O.S. Aleksic, N. Nikolic, O. Cvetkovic, V. Blagojevic, M.V. Nikolic. Mater. Chem. Phys., 125, 72 (2011)
  25. A.R. Davoyan, V.V. Popov, S.A. Nikitov. Phys. Rev. Lett., 108, 127 401 (2012)
  26. J. Pov zela, E. v Sirmulis, K. Pov zela, A. v Silenas, V. Juciene. Lithuan. J. Phys., 53, 163 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.