Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности рекомбинационных потерь фототока в анизотипных гетеропереходах n-TiN/p-Si
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 27 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Получены фоточувствительные гетероструктуры n-TiN/p-Si методом реактивного магнетронного распыления. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода Voc=0.4 B и ток короткого замыкания Isc=1.36 мА/см2 при освещении 80 мВт/см2. Из анализа освещенной ВАХ и спектра квантовой эффективности установлено, что низкие фотоэлектрические параметры обусловлены рекомбинацией в базовой области гетероперехода и формированием высокоомного слоя SiO2 на поверхности поликристаллического кремния, который не обеспечивает качественной пассивации поверхностных состояний.
- G. Gagnon, J.F. Currie, C. Beique, J.L. Brebner, S.G. Gujrathi, L. Onllet. J. Appl. Phys., 75, 1565 (1994)
- М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук, Т.Т. Ковалюк, J. Rappich, M. Gluba. ФТT, 55, 2123 (2013)
- М.Н. Солован, В.В. Брус, Э.В. Майструк, П.Д. Марьянчук. Неорг. матер., 50, 46 (2014)
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с анг.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N.Y., 1983)]
- К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986) [Пер. с англ. с сокр.: K.L. Chopra, S.R. Das. Thin film solar cells (Plenum Press, N.Y., 1981)]
- М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 27, 1185 (2013)
- V.V. Brus. Sol. Energy, 86, 786 (2012)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львов, Б.В. Царенков. ФТП, 17, 1472 (1984)
- A.S. Kovasoglu, N. Kovasoglu, S. Oktik. Sol. St. Electron., 52, 990 (2008)
- V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol., 27. 035 024 (2012)
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с анг.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 006 (2011)
- В.В. Брус, М.И. Илащук, В.В. Хомяк, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий. ФТП, 46, 1175 (2012)
- V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
