"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния
Медведев А.В.1, Феоктистов Н.A.1,2, Грудинкин С.A.1,2, Дукин А.А.1, Голубев В.Г.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Методом плазмохимического газофазного осаждения изготовлены планарные микрорезонаторы Фабри-Перо с излучающим на границе видимого и инфракрасного диапазонов спектра активным слоем. Микрорезонаторы состоят из активного слоя a-Si1-xCx : H с повышенным содержанием углерода и распределенных брэгговских отражателей из чередующихся неизлучающих слоев a-Si1-xCx : H/a-SiO2. Активный слой и распределенные брэгговские отражатели выращены в едином технологическом цикле. Благодаря высокому оптическому контрасту и малому поглощению слоев распределенных брэгговских отражателей достигнута большая добротность микрорезонаторов (Q=316) и высокая степень направленности излучения из микрорезонаторов при трех парах слоев в распределенных брэгговских отражателях. Интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре оказывается на 2 порядка выше по сравнению с интенсивностью излучения идентичного слоя a-Si1-xCx : H без распределенных брэгговских отражателей. Из сопоставления экспериментальных и рассчитанных методом матриц переноса с учетом дисперсии вещественной и мнимой частей показателя преломления a-Si1-xCx : H спектров пропускания сделана оценка степени систематического отклонения толщин слоев в распределенных брэгговских отражателях и определена верхняя граница коэффициента поглощения в слоях a-Si1-xCx : H.
  1. F. Giorgis, C. Vinegoni, L. Pavesi. Phys. Rev. B, 61 (7), 4693 (2000)
  2. F. Giorgis, P. Mandracci, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, L. Pavesi. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 588 (2000)
  3. J.-F. Lelievre, J. De la Torre, A. Kaminski, G. Bremond, M. Lemiti, R. El Bouayadi, D. Araujo, T. Epicier, R. Monna, M. Pirot, P.-J. Ribeyron, C. Jaussaud. Thin Sol. Films, 511--512, 103 (2006).
  4. R.S. Sussmann, R. Ogden. Phyl. Mag. B, 44 (1), 137 (1981)
  5. I. Watanabe, Y. Hata, A. Morimoto, T. Shimizu. Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 21 (10), 613 (1982)
  6. В.А. Васильев, А.С. Волков, Е. Мусабеков, Е.И. Теруков, В.Е. Челноков, С.В. Чернышев, Ю.М. Шерняев. ФТП, 24 (4), 710 (1990)
  7. L.R. Tessler, I. Solomon. Phys. Rev. E, 52 (15), 10 962 (1995)
  8. T. Ma, J. Xu, J. Du, W. Li, X. Huang, K. Chen. J. Appl. Phys., 88 (11), 6408 (2000)
  9. J. Xu, L. Yang, Y. Rui, J. Mei, X. Zhang, W. Li, Z. Ma, L. Xu, X. Huang, K. Chen. Sol. St. Commun., 133 (9), 565 (2005)
  10. K. Sel, I. Gunes. Thin Sol. Films, 520, 7062 (2012)
  11. F. Giorgis. Appl. Phys. Lett., 77(4), 522 (2000)
  12. M. Bayindir, S. Tanriseven, A. Aydinli, E. Ozbay. Appl. Phys. A, 73 (1) 125 (2001)
  13. A. Serpenguzel, S. Tanriseven. Appl. Phys. Lett., 78 (10), 1388 (2001)
  14. V. Ballarini, G. Barucca, E. Bennici, C.F. Pirri, C. Ricciardi, E. Tresso, F. Giorgis. Physica E, 16 (3-4), 591 (2003)
  15. C. Ricciardi, V. Ballarini, M. Galli, M. Liscidini, L.C. Andreani, M. Losurdo, G. Bruno, S. Lettieri, F. Gesuele, P. Maddalena, F. Giorgis. J. Non-Cryst. Sol., 352 (9-20), 1294 (2006)
  16. B. Qian, S. Chen, D.Y. Chen, J.W. Wei, J. Xu, P.G. Han, W. Li, L. Xu, K.J. Chen. Thin Sol. Films, 516 (6), 1120 (2008)
  17. J. Xu, J. Mei, D. Chen, S. Chen, W. Li, K. Chen. Diamond Relat. Mater., 14 (11-12), 1999 (2005)
  18. D. Chen, J. Xu, B. Qian, S. Chen, J. Mei, W. Li, L. Xu, K. Chen. Mater. Chem. Phys., 111 (2-3), 279 (2008)
  19. A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin. Appl. Phys. Lett., 77 (19), 3009 (2000)
  20. В.Г. Голубев, А.А. Дукин, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТП, 35 (10), 1266 (2001)
  21. A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin. J. Non-Cryst. Sol., 299-302 (Pt 1), 694 (2002)
  22. A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, S.A. Grudinkin, N.A. Feoktistov, I.T. Serenkov, V.G. Golubev. Nanotechnology, 19 (31), 315 201 (2008)
  23. А.В. Медведев, Н.А. Феоктистов, А.Б. Певцов, В.Г. Голубев. ФТП, 39 (11), 1403 (2005)
  24. В.Г. Голубев, А.А. Дукин, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТП, 37 (7), 860 (2003)
  25. A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin. Phys. Rev. E, 67 (4), 046 602 (2003)
  26. Y. Tawada, K. Tsuge, M. Kondo, H. Okamoto, Y. Hamakawa. J. Appl. Phys., 53 (7), 5273 (1982)
  27. C. Summonte, R. Rizzoli, M. Bianconi, A. Desalvo, D. Iencinella, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 96 (7), 3987 (2004)
  28. A. Gorin, A. Jaouad, E. Grondin, V. Aimez, P. Charette. Optics Express, 16 (18), 13 509 (2008)
  29. A.B. Pevtsov, A.V. Zherzdev, N.A. Feoktistov, G. Juska, T. Muschik, R. Schwarz. Int. J. Electron., 78 (2), 289 (1995)
  30. N.A. Feoktistov, N.L. Ivanova, L.E. Morozova, Yu.A. Nikulin, A.P. Onokhov, A.B. Pevtsov, R. Schwarz. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 420, 189 (1996)
  31. Fu Guang-Sheng, Wang Xin-Zhan, Lu Wan-Bing, Dai Wan-Lei, Li Xing-Kuo, Yu Wei. Chin. Phys. B, 21 (10), 107 802 (2012)
  32. K.D. Chokuette. MRS Bulletin, 27 (7), 507 (2002)
  33. S. Li, Y. Rui, Y. Cao, J. Xu, K. Chen. Front. Optoelectron., 5 (1), 107 (2012)
  34. M. Born, E. Wolf. Principles of Optics (Oxford, Pergamon, 1975)
  35. А.В. Медведев, А.А. Дукин, А.А. Певцов, C. Sibilia, Н.А. Феоктистов, В.Г. Голубев. Письма ЖТФ, 33 (22), 73 (2007)
  36. A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, V.G. Golubev, M. Centini, C. Sibilia. J. Appl. Phys., 103 (6), 063 101 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.