"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К вопросу о температурной делокализации носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaAs
Пихтин Н.А.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Шамахов В.В.1, Шашкин И.С.1, Бондарев А.Д.1, Вавилова Л.С.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Исследовано явление температурной делокализации в полупроводниковых лазерах на основе симметричных и асимметричных гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения lambda=1060 нм). Экспериментальные и расчетные оценки показывают, что концентрация носителей заряда в волноводе возрастает на порядок при увеличении температуры полупроводникового лазера на ~100oС. Установлено, что рост температуры активной области ведет к усилению температурной делокализации как электронов, так и дырок. Показано, что делокализация дырок начинается при более высоких температурах, чем делокализация электронов. Экспериментально установлено, что начало температурной делокализации зависит от пороговой концентрации носителей заряда в активной области лазера при комнатной температуре. Установлено, что увеличение энергетической глубины активной области посредством выбора материала волновода позволяет полностью подавить процесс температурной делокализации вплоть до 175oС.
  1. H. Wenzel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 19 (5), 1502913 (2013)
  2. В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, Г.И. Рябцев, А.С. Смаль, М.А. Щемелев, Д.А. Винокуров, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (10), 1339 (2012)
  3. A. Malag, E. Dabrowska, M. Teodorczyk, G. Sobczak, A. Kozlowska, J. Kalbarczyk. IEEE J. Quantum Electron., 48 (4), 465 (2012)
  4. P. Crump, G. Erbert, H. Wenzel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 19 (4), 1501211 (2013)
  5. A. Pietrzak, P. Crump, H. Wenzel, G. Erbert, F. Bugge, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 17 (6), 1715 (2011)
  6. T. Morita, T. Nagakura, K. Torii, M. Takauji, J. Maeda, M. Miyamoto, H. Miyajima, H. Yoshida. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 19 (4), 1502104 (2013)
  7. P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Pietrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 9 (2009)
  8. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1230 (2012)
  9. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, К.В. Бахвалов, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1234 (2012)
  10. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Подоскин, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (10), 1411 (2010)
  11. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
  12. П.В. Булаев, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, Д.Н. Николаев, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.Д. Бондарев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (9), 1144 (2002)
  13. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 45, 1553 (2011)
  14. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  15. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. Квантовая электроника, 46, 428 (2013)
  16. Л.В. Асрян. Квантовая электроника, 35, 1117 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.