"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией
Закгейм Д.А.1,2, Иткинсон Г.В.2, Кукушкин М.В.2, Марков Л.К.1,2, Осипов О.В.2, Павлюченко А.С.1, Смирнова И.П.1,2, Черняков А.Е.3, Бауман Д.А.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "НТС Инновации", Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Сообщается о разработке и изготовлении мощного светодиодного флип-чип кристалла AlGaInN с новой топологией расположения контактных площадок. Использование двухуровневой схемы расположения металлизации с промежуточным изолирующим слоем диэлектрика позволило значительно повысить эффективность использования площади гетероструктуры (до 78%). Применение численного моделирования растекания тока при разработке топологии кристалла позволило достичь высокой однородности распределения тока накачки по площади активной области, а также низких значений дифференциального сопротивления (0.3 Ом). На основе разработанных кристаллов были изготовлены светодиоды с максимальным значением внешней квантовой эффективности 60% и выходной оптической мощностью 542 мВт при рабочем токе накачки 350 мА.
  1. Ф. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2009) с. 10
  2. A.Y. Kim, W. Gotz, D.A. Seigerwald, J.J. Wierer, N.F. Gardner, J. Sun, S.A. Stockman, P.S. Martin, M.R. Krames, R.S. Kern, F.M. Steranka. Phys. Status Solidi A, 188, 15 (2001)
  3. M.H. Kim, M.F. Schubert, Q. Dai, J.K. Kim, E.F. Schubert, J. Piprek, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 91, 183 507 (2007)
  4. А.Л. Закгейм, Г.Л. Курышев, М.Н. Мизеров, В.Г. Половинкин, И.В. Рожанский, А.Е. Черняков. ФТП, 44 (3), 390 (2010)
  5. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
  6. И.П. Смирнова, Д.А. Закгейм, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. (М., 2007) с. 63
  7. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43 (11), 1564 (2009)
  8. M. Donofrio, J. Ibbetson, Z.J. Yao. Patent US 8,368,100 B2, (Feb. 5, 2013)
  9. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, Е.Д. Васильева, А.Е. Черняков, А.С. Усиков. ФТП, 47 (3), 386 (2013)
  10. Л.И. Майссел, Р. Глэнг. Технология тонких пленок (М., Сов. радио, 1977) т. 2, с. 305
  11. D.S. Wuu, W.K. Wang, K.S. Wen, S.C. Huang, S.H. Lin, R.H. Horng, Y.S. Yu, M.H. Pan. J. Electrochem. Soc., 153, G765 (2006)
  12. D.A. Zakheim, A.S. Pavluchenko, D.A. Bauman. Phys. Status Solidi C, 8, 2340 (2011)
  13. D.A. Zakheim, A.S. Pavluchenko, D.A. Bauman, K.A. Bulashevich, O.V. Khokhlev, S.Yu. Karpov. Phys. Status Solidi A, 209, 456 (2012)
  14. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43 (11), 1564 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.