"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO2 структуры кремний-на-изоляторе
Тысченко И.Е.1, Фельсков М.2, Черков А.Г.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 16 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Исследован ионный синтез нанокристаллов InSb в слое захороненного SiO2 структуры кремний-на-изоляторе. Изучены профили распределения атомов индия и сурьмы после отжига при температуре Ta=500-1100oC. Установлено, что перераспределение имплантированных атомов имеет немонотонный характер в зависимости от температуры отжига. Формирование нанокристаллов InSb происходит при Ta≥800oC вблизи границы Si/SiO2 и на глубине средних пробегов Rp. Анализ профилей имплантированных атомов и структуры и распределения по глубине формирующихся нанокристаллов позволил сделать предположение о двухстадийном характере образования фазы InSb: на первой стадии происходит формирование преципитатов сурьмы, которые играют роль зародышей для дальнейшего стока на них атомов In и Sb.
  1. K. Zhu, J. Shi, L. Zhang. Sol. St. Commun., 107, 79 (1998)
  2. B.R. Bennett, B.V. Shanabrook, R. Magno. Appl. Phys. Lett., 68, 958 (1996)
  3. T. Utzmeier, P.A. Postigo, J. Tamayo, R. Garci a, F. Briones. Appl. Phys. Lett., 69, 2674 (1996)
  4. G. Armelles, T. Utzmeier, P.A. Postigo, F. Briones, J.C. Ferrer, P. Peiro, A. Comet, J. Appl. Phys., 81, 6339 (1997)
  5. J.-Z. Shi, Q.-Y. Shao, K.-G. Zgu. Acta Phys. Sin., 49, 2304 (2000)
  6. D. Chen, C. Li, Z. Zhu, J. Fan, S. Wei. Phys. Rev. B, 72, 075 341 (2005)
  7. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 61, 993 (1987)
  8. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 5220 (1985)
  9. I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 267, 1360 (2009)
  10. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 1872 (1985)
  11. D. Kruger, H. Rucker, B. Heinemann, V. Melnik, R. Kurps, D. Botze. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 455 (2004)
  12. Г.А. Качурин, Г.В. Гадияк, В.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТП, 26, 1977 (1992)
  13. A.F. Borun, A.B. Danilin, V.N. Mordkovich, E.M. Temper. Rad. Eff., 107, 9 (1988)
  14. M.Yu. Barabanenkov, Yu.A. Agafonov, V.N. Mordkovich, A.N. Pustovit, A.F. Yyatkin, V.I. Zinenko. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 171, 301 (2000)
  15. F.S. Ham. J. Phys. Chem. Sol., 6, 335 (1958)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.