Вышедшие номера
Регистрация U--центров в пленках g-As2Se3 с помощью термоциклических измерений электропроводности
Егармин К.Н.1, Еганова Е.М.2, Воронков Э.Н.1
1Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Закрепление уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны является одним из основных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников. В большинстве моделей предполагается, что закрепление обусловлено присутствием сильно поляризующих решетку заряженных дефектов (U-центров) с энергетическими уровнями вблизи уровня Ферми. Для регистрации U--центров в работе применена методика термоциклирования, позволившая значительно увеличить время регистрации заряда, освобождаемого этими центрами. Представлены результаты измерений электропроводности пленок As2Se3 во время последовательных циклов охлаждения и нагрева образца, которые привели к появлению и эволюции двух дискретных пиков. Сделано заключение, что по крайней мере один из них обусловлен отрицательно заряженными U--центрами, расположенными вблизи уровня Ферми.