"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Регистрация U--центров в пленках g-As2Se3 с помощью термоциклических измерений электропроводности
Егармин К.Н.1, Еганова Е.М.2, Воронков Э.Н.1
1Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Закрепление уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны является одним из основных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников. В большинстве моделей предполагается, что закрепление обусловлено присутствием сильно поляризующих решетку заряженных дефектов (U-центров) с энергетическими уровнями вблизи уровня Ферми. Для регистрации U--центров в работе применена методика термоциклирования, позволившая значительно увеличить время регистрации заряда, освобождаемого этими центрами. Представлены результаты измерений электропроводности пленок As2Se3 во время последовательных циклов охлаждения и нагрева образца, которые привели к появлению и эволюции двух дискретных пиков. Сделано заключение, что по крайней мере один из них обусловлен отрицательно заряженными U--центрами, расположенными вблизи уровня Ферми.
  1. N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Clarendon PREE, Oxford, 1979)
  2. P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
  3. Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46 (5), 577 (2012)
  4. Н.Т. Баграев, Л.Н. Блинов, В.В. Романов. ФТТ, 44 (5), 785 (2002)
  5. M. Naradone, V.I. Kozub, I.V. Karpov, V.G. Karpov. Phys. Rev. B, 79, 165 206 (2009)
  6. R.A. Street, A.D. Yoffe. Thin Sol. Films, 11, 161 (1972)
  7. A.E. Owen, W.E. Spear. Phys. Chem. Glasses, 17, 174 (1976)
  8. V.I. Mikla, V.V. Mikla. Metastable States in Amorphous Chalcogenide Semiconductors (Springer Series in Materials Science, ed. by R. Hull, R.M. Osgood, jr., J. Parisi, H. Warlimont). ISBN 978-3-642-02744-4 (Springer, 2012)
  9. D. Vanderbilt, J.D. Joannopoulos. Phys. Rev. B, 23 (6), 2596 (1981)
  10. S.G. Bishop, U. Storm, P.C. Taylor. Phys. Rev. B, 15, 2278 (1977)
  11. S. Lai. Int. Electron Devices Meet., Tech. Dig. (2003) 10.1.1, p. 255

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.