Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние стоков собственных точечных дефектов на диффузию фосфора в кремнии
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 11 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
На основе модели диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму проведен количественный анализ влияния стоков, связанных со структурными дефектами. Показано, что учет стоков для собственных межузельных атомов приводит к замедлению ускоренной диффузии фосфора в области малых концентраций на хвосте концентрационного профиля. Влияние стоков наиболее сильно выражено при положении максимума их концентрации в области максимума генерации собственных межузельных атомов внутри диффузионного слоя. Из сравнения расчетов с экспериментальными данными определены параметры захвата собственных межузельных атомов на структурные дефекты, введенные диффузией фосфора и имплантацией электрически неактивных примесей Ge и N.
- S.M. Hu. In: Atomic diffusion in semiconductors, еd. by D. Shaw (London--N. Y., Plenum Press, 1973) ch. 5. [Пер.: Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)]
- S.M. Hu, P. Fahey, R.W. Dutton. J. Appl. Phys., 54, 6912 (1983)
- P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
- О.В. Александров. ФТП, 31, 1289 (2001)
- S. Matsumoto, Y. Akao, K. Kohiama, T. Niimi. J. Electrochem. Soc., 125, 1840 (1978)
- О.В. Александров. Электрон. техн., сер. 6, вып. 6 (143), 58 (1980)
- О.В. Александров, Г.А. Гавриков, В.И. Прохоров. Электрон. техн., сер. 2, вып. 2 (145), 69 (1981)
- О.В. Александров, Г.А. Гавриков, И.П. Матханова, В.И. Прохоров. В сб.: Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, вып. 2 (16), 78 (1981)
- M. Servidori, S. Solmi. J. Appl. Phys., 65, 98 (1989)
- J.R. Pfiester, P.B. Griffin. Appl. Phys. Lett., 52, 471 (1988)
- О.В. Александров, Р.З. Тумаров, Н.А. Кондратьев. Матер. VI Всес. конф. "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом" (Минск, 1981) ч. 2, с. 51
- В.Т. Карманов, А.Ф. Хохлов, П.В. Павлов, Е.И. Зорин. ФТП, 11, 1871 (1977)
- D.K. Sadana, M. Strathman, J. Washburn, C.W. Magee, M. Maenpaa, G.R. Booker. Appl. Phys. Lett., 37, 615 (1980)
- Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999) с. 160
- Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация, пер. с нем под ред. М.И. Гусевой (М., Наука, 1983)
- S. Prussin. J. Appl. Phys., 32, 1776 (1961)
- В.А. Пантелеев. ФТТ, 21, 3388 (1979)
- В.А. Пантелеев, М.И. Василевский, Г.М. Големшток, В.И. Окулич. ФТТ, 28, 3226 (1986)
- Л.А. Коледов, Л.Н. Сергеев. В сб.: Свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1977) с. 143
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
