"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние стоков собственных точечных дефектов на диффузию фосфора в кремнии
Александров О.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

На основе модели диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму проведен количественный анализ влияния стоков, связанных со структурными дефектами. Показано, что учет стоков для собственных межузельных атомов приводит к замедлению ускоренной диффузии фосфора в области малых концентраций на хвосте концентрационного профиля. Влияние стоков наиболее сильно выражено при положении максимума их концентрации в области максимума генерации собственных межузельных атомов внутри диффузионного слоя. Из сравнения расчетов с экспериментальными данными определены параметры захвата собственных межузельных атомов на структурные дефекты, введенные диффузией фосфора и имплантацией электрически неактивных примесей Ge и N.
  1. S.M. Hu. In: Atomic diffusion in semiconductors, еd. by D. Shaw (London--N. Y., Plenum Press, 1973) ch. 5. [Пер.: Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)]
  2. S.M. Hu, P. Fahey, R.W. Dutton. J. Appl. Phys., 54, 6912 (1983)
  3. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
  4. О.В. Александров. ФТП, 31, 1289 (2001)
  5. S. Matsumoto, Y. Akao, K. Kohiama, T. Niimi. J. Electrochem. Soc., 125, 1840 (1978)
  6. О.В. Александров. Электрон. техн., сер. 6, вып. 6 (143), 58 (1980)
  7. О.В. Александров, Г.А. Гавриков, В.И. Прохоров. Электрон. техн., сер. 2, вып. 2 (145), 69 (1981)
  8. О.В. Александров, Г.А. Гавриков, И.П. Матханова, В.И. Прохоров. В сб.: Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, вып. 2 (16), 78 (1981)
  9. M. Servidori, S. Solmi. J. Appl. Phys., 65, 98 (1989)
  10. J.R. Pfiester, P.B. Griffin. Appl. Phys. Lett., 52, 471 (1988)
  11. О.В. Александров, Р.З. Тумаров, Н.А. Кондратьев. Матер. VI Всес. конф. "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом" (Минск, 1981) ч. 2, с. 51
  12. В.Т. Карманов, А.Ф. Хохлов, П.В. Павлов, Е.И. Зорин. ФТП, 11, 1871 (1977)
  13. D.K. Sadana, M. Strathman, J. Washburn, C.W. Magee, M. Maenpaa, G.R. Booker. Appl. Phys. Lett., 37, 615 (1980)
  14. Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999) с. 160
  15. Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация, пер. с нем под ред. М.И. Гусевой (М., Наука, 1983)
  16. S. Prussin. J. Appl. Phys., 32, 1776 (1961)
  17. В.А. Пантелеев. ФТТ, 21, 3388 (1979)
  18. В.А. Пантелеев, М.И. Василевский, Г.М. Големшток, В.И. Окулич. ФТТ, 28, 3226 (1986)
  19. Л.А. Коледов, Л.Н. Сергеев. В сб.: Свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1977) с. 143

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.