"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs под воздействием атомарного водорода
Торхов Н.А.1, Ивонин И.В.1, Черников Е.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Было получено, что обработка образцов эпитаксиального n-GaAs изначально с высоким качеством поверхности в атомарном водороде как при наличии, так и при отсутствии на поверхности n-cлоя защитной пленки SiO2 может приводить к аморфизации поверхности и тонкого ~ 7 нм приповерхностного слоя, что сопровождается образованием гидридной фазы. Отсутствие водородной подрешетки в приповерхностном слое может указывать на то, что основными движущими силами в процессе аморфизации эпитаксиального n-GaAs являются химические вазимодействия ближнего порядка между атомами водорода, а также между атомами водорода и атомами основной матрицы кристалла.
  • S.J. Pearton. J. Electron. Mater. (a), 14, 737 (1985)
  • S.J. Pearton, E.E. Haller, A.G. Elliot. Appl. Phys. Lett., 44, 684 (1984)
  • Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков. ФТП, 21, 842 (1987)
  • Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, А.В. Говорков, О.М. Бородина, А.С. Брук. ФТП, 22, 1203 (1988)
  • Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 34, 186 (2000)
  • Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 33, 1209 (1999)
  • А.В. Панин, Н.А. Торхов. ФТП, 34, 698 (2000)
  • A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55, 259 (1989)
  • U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57, 887 (1990)
  • Y.G. Wang, S. Ashok. J. Appl. Phys., 75, 2447 (1994)
  • В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 33, 1343 (1998)
  • Y.G. Wang, S. Ashok. J. Appl. Phys., 75, 2447 (1994)
  • Н.А. Торхов, В.Г. Божков. Поверхность, 8, 100 (2001)
  • Н.А. Торхов, В.Г. Божков, В.А. Кагадей, И.В. Ивонин. Тез. докл. II Межд. конф. "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Россия, Максимиха, 14--19 авг. 2000) с. 86
  • В.А. Кагадей, Д.И. Проскуровский, О.Е. Троян. Патент России N 2088056
  • N. Watanabe, T. Nittono, H. Ito, N. Kondo, Y. Nanishi. J. Appl. Phys., 73, 8146 (1883)
  • В.А. Кагадей, Д.И. Проскуровский, С.Д. Регер, Л.М. Ромась. Микроэлектроника, 27, 10 (1998)
  • U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57, 887 (1990)
  • А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, Э.М. Омельяновский, А.В. Говорков, О.М. Бородина, А.С. Брук. ФТП, 2, 1203 (1988)
  • A. Watanabe, M. Unno, F. Hojo, T. Miwa. Jap. J. Appl. Phys., 10A, 961 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.