"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs под воздействием атомарного водорода
Торхов Н.А.1, Ивонин И.В.1, Черников Е.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

Было получено, что обработка образцов эпитаксиального n-GaAs изначально с высоким качеством поверхности в атомарном водороде как при наличии, так и при отсутствии на поверхности n-cлоя защитной пленки SiO2 может приводить к аморфизации поверхности и тонкого ~ 7 нм приповерхностного слоя, что сопровождается образованием гидридной фазы. Отсутствие водородной подрешетки в приповерхностном слое может указывать на то, что основными движущими силами в процессе аморфизации эпитаксиального n-GaAs являются химические вазимодействия ближнего порядка между атомами водорода, а также между атомами водорода и атомами основной матрицы кристалла.
  1. S.J. Pearton. J. Electron. Mater. (a), 14, 737 (1985)
  2. S.J. Pearton, E.E. Haller, A.G. Elliot. Appl. Phys. Lett., 44, 684 (1984)
  3. Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков. ФТП, 21, 842 (1987)
  4. Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, А.В. Говорков, О.М. Бородина, А.С. Брук. ФТП, 22, 1203 (1988)
  5. Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 34, 186 (2000)
  6. Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 33, 1209 (1999)
  7. А.В. Панин, Н.А. Торхов. ФТП, 34, 698 (2000)
  8. A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55, 259 (1989)
  9. U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57, 887 (1990)
  10. Y.G. Wang, S. Ashok. J. Appl. Phys., 75, 2447 (1994)
  11. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 33, 1343 (1998)
  12. Y.G. Wang, S. Ashok. J. Appl. Phys., 75, 2447 (1994)
  13. Н.А. Торхов, В.Г. Божков. Поверхность, 8, 100 (2001)
  14. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, В.А. Кагадей, И.В. Ивонин. Тез. докл. II Межд. конф. "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Россия, Максимиха, 14--19 авг. 2000) с. 86
  15. В.А. Кагадей, Д.И. Проскуровский, О.Е. Троян. Патент России N 2088056
  16. N. Watanabe, T. Nittono, H. Ito, N. Kondo, Y. Nanishi. J. Appl. Phys., 73, 8146 (1883)
  17. В.А. Кагадей, Д.И. Проскуровский, С.Д. Регер, Л.М. Ромась. Микроэлектроника, 27, 10 (1998)
  18. U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57, 887 (1990)
  19. А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, Э.М. Омельяновский, А.В. Говорков, О.М. Бородина, А.С. Брук. ФТП, 2, 1203 (1988)
  20. A. Watanabe, M. Unno, F. Hojo, T. Miwa. Jap. J. Appl. Phys., 10A, 961 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.