"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция (lambda=1.3 мкм) при комнатной температуре квантовых точек InGaAs на подложке Si (100)
Бурбаев Т.М.1, Казаков И.П.1, Курбатов В.А.1, Рзаев М.М.1, Цветков В.А.1, Цехош В.И.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

На кремниевой подложке с буферным слоем Si1-xGex выращены структуры GaAs / InxGa1-xAs с квантовыми точками, обладaющие интенсивной фотолюминесценцией в области 1.3 мкм при комнатной температуре. Процесс выращивания осуществлялся последовательно в двух установках молекулярно-лучевой эпитаксии с перегрузкой структуры через атмосферу. Приводятся результаты исследования процесса роста структуры методом дифракции быстрых электронов.
  1. G.E. Cirlin, V.N. Petrov, V.G. Dubrovsky, S.A. Masalov, A.O. Golubok, N.I. Komyak, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Techn. Phys. Lett., 24, 10 (1998)
  2. H. Chen, L.W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, J.M. Zhou. J. Appl. Phys., 79, 1167 (1996)
  3. C.S. Peng, Z.Y. Zhao, H. Chen, J.H. Li, Y.K. Li, L.W. Guo, D.Y. Dai, Q. Huang, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng, C.H. Tung. Appl. Phys. Lett., 72, 3160 (1998)
  4. J.M. Gerard, J.B. Genin, J. Lefebre, J.M. Moison, N. Lebouchе, F. Barthe. J. Cryst. Growth, 150, 351 (1995)
  5. D.I. Lubyshev, P.P. Gonzalez-Borrero, E. Marega, jr., E. Petitprez, P. Basmaji. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2212 (1996)
  6. K. Kamath, J. Phillips, J. Singh, P. Bhattacharya. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2312 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.