"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение щелей подвижности и плотности локализованных состояний дырок для гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix в режиме квантового эффекта Холла
Арапов Ю.Г.1, Кузнецов О.А.2, Неверов В.Н.1, Харус Г.И.1, Шелушинина Н.Г.1, Якунин М.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Нижегородский государственный университет, Научно-исследовательский физико-технический институт, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 17 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Проведено детальное исследование температурных (0.1=<sssim T=<sssim 20 K) и магнитополевых (0=<sssim B=<sssim 12 Тл) зависимостей продольного (rhoxx) и холловского (rhoxy) сопротивлений для многослойных гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix (x=0.07) с концентрацией дырок p=(2.4-2.6)· 1011 см-2 и подвижностями mu=(1.1-1.7)· 104 см2/B·с). Определены параметры энергетического спектра двумерного дырочного газа в режиме квантового эффекта Холла. Для факторов заполнения nu=1 и 2 ширина щелей подвижности W=(2-2.5) мэВ, а величина фоновой плотности локализованных состояний gc=(5-7)· 1010 см-2мэВ-1. Полученные результаты интерпретируются на основе моделей крупномасштабного примесного потенциала в селективно-легированных двумерных системах.
  1. R.B. Laughlin. Phys. Rev. B, 23, 5632 (1981)
  2. B.I. Halperin. Phys. Rev. B, 25, 2185 (1982)
  3. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев. УФН, 155, 219 (1988)
  4. В кн.: Квантовый эффект Холла, под ред. Р. Пренджа, С. Гирвина (М., Мир, 1989)
  5. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
  6. S. Das Sarma, D. Liu. Phys. Rev. B, 48, 9166 (1993)
  7. Y. Katayama, D.C. Tsui, M. Shayegan. Phys. Rev. B, 49, 7400 (1994)
  8. D. Weiss, E. Stahl, G. Weimann, K. Ploog, K. von Klitzing. Surf. Sci., 170, 285 (1986)
  9. A. Usher, R.J. Nicholas, J.J. Harris, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 41, 1129 (1990)
  10. R.G. Clark. Physica Scripta, 39, 45 (1991)
  11. P. Svoboda, G. Natchtwei, G. Breitlow, S. Heide, M. Cukr. Cond-mat/9612053
  12. М.Г. Гаврилов, И.В. Кукушкин. Письма ЖЭТФ, 43, 79 (1986)
  13. H.P. Wei, A.M. Chang, D.C. Tsui, M. Razeghi. Phys. Rev. B, 32, 7016 (1985)
  14. В.А. Aronzon, N.K. Chumakov, J. Leotin, J. Galibert, L. Essalen, A.L. Chernov, O.A. Kuznetsov, L.K. Orlov, R.A. Rubtsova, O.A. Mironov. Superlat. Microstruct., 13, 159 (1993)
  15. Ю.Г. Арапов, Н.А. Городилов, М.В. Якунин, В.Н. Неверов, А.В. Германенко, Г.М. Миньков. Письма ЖЭТФ, 59, 247 (1994)
  16. Ю.Г. Арапов, Н.А. Городилов, О.А. Кузнецов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, Л.К. Орлов, А.Л. Чернов, Г.Л. Штрапенин. ФТП, 27, 1165 (1993)
  17. Ю.Г. Арапов, Н.А. Городилов, О.А. Кузнецов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина. ФТП, 31, 273 (1997)
  18. R.W. Martin, R.J. Warburton, R.G. Nicolas, G.J. Rees, S.K. Haywood, N.J. Mason, R.G. Walker, M. Enemy, L.K. Howard. Proc. XX Int. Conf. Phys. Semicond. (Thessaloniki, 1990) p. 909
  19. J.M. Luttinger. Phys. Rev., 102, 1030 (1956)
  20. Y. Guldner, C. Rigaux, M. Grynberg, A. Mycielski. Phys. Rev. B, 8, 3875 (1973)
  21. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Письма ЖЭТФ, 44, 520 (1986)
  22. A.L. Efros. Sol. St. Commun., 70, 253 (1989)
  23. A.L. Efros, F.G. Pikus, V.G. Burnett. Phys. Rev. B, 47, 2233 (1993)
  24. A.L. Efros. Cond-mat/9905368
  25. B. Huckestein. Rev. Mod. Phys., 67, 357 (1995)
  26. N.R. Cooper, J.T. Chalker. Phys. Rev. B, 48, 4530 (1993)
  27. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.