"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Обобщенный характер диэлектрического отклика кристаллов CdTe, выращенных из расплава
Клименко И.А.1, Мигаль В.П.1
1Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 23 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Установлено, что особенности фотодиэлектрического отклика кристаллов CdTe, выращенных из расплава, обусловлены ансамблями макроскопических ростовых дефектов. Показано, что анализ диаграмм varepsilon*(lambda) и varepsilon*(X), характеризующих зависимости комплексной диэлектрической проницаемости от длины волны и координаты, как графических образов последовательностей индуцированных состояний кристалла, позволяет идентифицировать ансамбли макроскопических ростовых дефектов --- источников внутренних полей.
  1. V. Komar, A. Gektin, D. Nalivaiko, I. Klimenko, V. Migal, O. Panchuk, A. Rybka. Nucl. Instr. Meth. A, 458, 113 (2001)
  2. И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко. ФТП, 35 (2), 139 (2001)
  3. И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко. ФТП, 35 (4), 403 (2001)
  4. I.A. Klimenko, V.P. Migal. Functional materials, 8 (2), 395 (2001)
  5. В.П. Мигаль, ФТП, 35 (10), 1188 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.