Изменение свойств системы <пористый Si> / Si при постепенном стравливании слоя пористого Si
Венгер Е.Ф.1, Горбач Т.Я.1, Кириллова С.И.1, Примаченко В.Е.1, Чернобай В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 26 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.
Исследования в растровом электронном микроскопе показали, что стравливание слоя пористого кремния в растворе HF происходит неравномерно. При постепенном стравливании пористого кремния величина фотолюминесценции пористого кремния существенно уменьшается, а ее максимум сдвигается сначала в коротковолновую, а затем в длинноволновую область. Измерения фотоэдс на импульсах красного света показали, что граничный потенциал varphis подложки p-Si положителен и значения varphis возрастают при стравливании слоя пористого кремния, а также при понижении температуры от 300 до 200 K. При T<230 K наблюдается фотопамять varphis, связанная с захватом неравновесных электронов на граничные ловушки p-Si. Концентрации мелких ловушек и граничных электронных состояний p-Si при стравливании пористого кремния возрастают. При T<180 K система граничных состояний перестраивается. Измерения фотоэдс на импульсах белого света обнаружили захват электронов на ловушки оксида состаренного пористого кремния.
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
- М.С. Бреслер, И.Н. Яссиевич. ФТП, 27, 871 (1993)
- С.В. Свечников, А.В. Саченко, Г.А. Сукач, А.М. Евстигнеев, Э.Б. Каганович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., N 27, 3 (1994)
- M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett., 82, 197 (1999)
- В.Ф. Агекян, А.М. Апрелев, Р. Лойхо, Ю.А. Степанов. ФТТ, 42, 1393 (2000)
- Н.Е. Корсунская, Т.В. Торчинская, Б.Р. Джумаев, Л.Ю. Хоменкова, Б.М. Булах. ФТП, 31, 908 (1997)
- Л.А. Балагуров, В.Ф. Павлов, Е.А. Петрова, Г.П. Боронина. ФТП, 31, 957 (1997)
- П.К. Кашкаров, Б.В. Каменев, Е.А. Константинова, А.И. Ефимова, А.В. Павликов, В.Ф. Тимошенко. УФН, 168, 577 (1998)
- В.А. Караванский, А.А. Ломов, Е.В. Ракова, С.А. Гаврилов, Н.Н. Мельник, Т.Н. Заварицкая, В.А. Бушуев. Поверхность, N 12, 32 (1999)
- П.В. Галий. УФЖ, 45, 985 (2000)
- Т.Я. Горбач, С.В. Свечников, П.С. Смертенко, П.Г. Тульчинский, А.В. Бондаренко, С.А. Волчек, А.М. Дорофеев, Ж. Мазини, Г. Маелло, С. Ламоника, А. Феррари. ФТП, 31, 1414 (1997)
- F.P. Romstad. E. Veje. Phys. Rev. B, 55, 5220 (1997)
- L. Burstein, Y. Shapira, J. Partee, J. Shinar, Y. Lubianiker, I. Balberg. Phys. Rev. B, 55, R1930 (1997)
- В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Физика легированной металлами поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
- G. Wilieke, K. Kellermann. Semicond. Sci. Technol., 11, 415 (1996)
- H. Angermann, W. Henrion, M. Rebien, D. Fischer, J.T. Lettler, A. Roseler. Thin Sol. Films, 313/314, 552 (1998)
- З.С. Грибников, В.И. Мельников. ФТП, 2, 1352 (1968)
- С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай, О.В. Снитко. Поверхность, N 11, 74 (1991)
- Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. УФЖ, 42, 1333 (1997)
- С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., N 21, 60 (1991)
- Е.Ф. Венгер, Э.Б. Каганович, С.И. Кириллова, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников. ФТП, 33, 1330 (1999)
- В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела (М., Изд-во МГУ, 1999)
- Б.М. Булах, Е.Ф. Венгер, Э.Б. Каганович, С.И. Кириллова, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников. УФЖ, 45, 1083 (2000)
- A. Nakajima, Y. Ohsima, T. Itakura, Y. Goto. Appl. Phys. Lett., 62, 2631 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
