Развита математическая модель, описывающая когерентное туннелирование электронов в трехбарьерных квантово-размерных структурах в высокочастотном электрическом поле терагерцового диапазона. На основе разработанной модели качественно и количественно исследованы частотные зависимости отрицательной динамической проводимости (интенсивности квантовых переходов) трехбарьерных наноструктур с когерентным туннелированием электронов по близко лежащим расщепленным энергетическим уровням. Показано, что на основе таких структур могут быть созданы когерентные квантовые лазеры дальнего инфракрасного диапазона, с длиной волны вплоть до 60 мкм (5 ТГц). При этом время жизни электронов на нижнем резонансном уровне оказывается в 5 раз меньше характерного времени рассеяния, влияние пространственного заряда несущественно, а полезная мощность, выделяемая в структуре, в несколько раз превосходит мощность потерь внутри оптического волновода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.