Методом емкостной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование изменений при отжиге спектра состояний на границе Si/SiO₂, полученной прямым сращиванием, и на границе Si(подложка)/<термический SiO₂> в структурах кремний-на-изоляторе. Структуры создавались методом сращивания пластин кремния с расслоением одной из пластин по плоскости, ослабленной имплантацией водорода. Отжиг структур кремний-на-изоляторе проводился при 430^oC в течение 15 мин в атмосфере водорода, что соответствует стандартному режиму пассивации состояний на границе Si/SiO₂. Показано, что для границы Si/<термический SiO₂> в структуре кремний-на-изоляторе имеет место пассивация граничных состояний водородом, в результате чего плотность ловушек существенно уменьшается и непрерывный спектр состояний во всей зоне заменяется полосой состояний в интервале энергий E_c-(0.1/ 0.35) эВ. Для ловушек на сращённой границе Si/SiO₂ происходит трансформация центров, а именно, наблюдается смещение полосы энергий состояний от E_c-(0.17/ 0.36) эВ до E_c-(0.08/ 0.22) эВ; сечение захвата на ловушки уменьшается примерно на порядок, а плотность наблюдаемых ловушек несколько увеличивается.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.