"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела структур кремний-на-изоляторе
Антонова И.В.1, Стано Й.2, Николаев Д.В.1, Наумова О.В.1, Попов В.П.1, Скуратов В.А.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Методом емкостной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование изменений при отжиге спектра состояний на границе Si/SiO2, полученной прямым сращиванием, и на границе Si(подложка)/<термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе. Структуры создавались методом сращивания пластин кремния с расслоением одной из пластин по плоскости, ослабленной имплантацией водорода. Отжиг структур кремний-на-изоляторе проводился при 430oC в течение 15 мин в атмосфере водорода, что соответствует стандартному режиму пассивации состояний на границе Si/SiO2. Показано, что для границы Si/<термический SiO2> в структуре кремний-на-изоляторе имеет место пассивация граничных состояний водородом, в результате чего плотность ловушек существенно уменьшается и непрерывный спектр состояний во всей зоне заменяется полосой состояний в интервале энергий Ec-(0.1/ 0.35) эВ. Для ловушек на сращённой границе Si/SiO2 происходит трансформация центров, а именно, наблюдается смещение полосы энергий состояний от Ec-(0.17/ 0.36) эВ до Ec-(0.08/ 0.22) эВ; сечение захвата на ловушки уменьшается примерно на порядок, а плотность наблюдаемых ловушек несколько увеличивается.
  1. P.V. Gray. IEEE Trans. Electron. Dev., 8, 88 (1969)
  2. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  3. M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  4. V.P. Popov, I.A. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, E.P. Neustroev, A.K. Gutakovskii, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment et al. (Kluwer Academic Publisher, Netherlands, 2000) p. 47
  5. И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. ФТП, 34, 1095 (2000)
  6. J.W. Farmer, C.D. Lamp, J.M. Meese. Appl. Phys. Lett., 41, 1064 (1982)
  7. И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. ФТП, 35 (8), 948 (2001)
  8. K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc., 132, 2201 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.