Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронные свойства полуизолирующего GaAs<Cr>, облученного протонами

Брудный В.Н.¹, Потапов А.И.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 13 декабря 2000 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

-1 При протонном облучении (5 МэВ, 300 K, D~2·10¹⁷ см^-2) полуизолирующего GaAs<Cr> (rho~(3-4)10⁸ Ом·см) выявлены n-p-конверсия типа проводимости и уменьшение удельного электросопротивления до 10² Ом·см (300 K). Температурные зависимости rho в сильно облученных образцах указывают на прыжковую проводимость в интервале температур (400-120) K с переходом к проводимости с переменной длиной прыжка при T=<120 K. В низкоомных слоях облученного протонами GaAs<Cr> обнаружены эффекты электронного переключения вблизи 20 K. Исследован изохронный отжиг радиационных дефектов в интервале температур (20-750)^oC.

K Wohlleben, W. Beck, Z. Naturforsch. 21a(7), 1057 (1956)
D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
J.P. Donnelly, F.L. Leonberger. Sol. St. Electron., 20, 183 (1977)
В.Н. Брудный, М.А. Кривов, А.И. Потапов. Изв. вузов. Физика, 25(1), 9 (1982)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
V.N. Brudnyi, M.A. Krivov, A.I. Potapov. Sol. St. Commun., 34, 117 (1980)
В.М. Зелевинская, Г.А. Качурин, Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов. ФТП, 4(2), 317 (1970)
В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, А.И. Потапов. Изв. вузов. Физика, 35(10), 61 (1992)
J. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
T.K. Saxena, S. Bala, S.K. Agarwal, P.C. Mathur, K.D. Chaudhurt. Phys. Rev. B, 22, 2962 (1980)
А.Г. Забродский. ФТП, 11(3), 535 (1977)
Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
V.N. Brudnyi, A.V. Gradoboev, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (b), 212, 229 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель