Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование особенностей гальваномагнитных явлений в слоях n-CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
Измерены магнитополевые зависимости коэффициента Холла и проводимости в эпитаксиальных структурах CdxHg1-xTe n-типа проводимости при температуре 77 K. Структуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии с заданным распределением состава твердого раствора по толщине. Особенностью полученных зависимостей являются уменьшение проводимости и абсолютной величины коэффициента Холла с ростом магнитного поля. Экспериментальные зависимости можно описать только с привлечением электронов с низкой подвижностью. Показано, что анодный оксид, нанесенный на поверхность пленки CdxHg1-xTe, увеличивает концентрацию электронов с низкой подвижностью, а анодный фторид - уменьшает. Обсуждаются возможные причины, приводящие к появлению медленных электронов. Наиболее вероятными источниками с низкой подвижностью могут являться приповерхностные слои и электрические микронеоднородности пленок CdxHg1-xTe.
- В.А. Погребняк, И.М. Раренко, Д.Д. Халамейда, В.М. Яковенко. ФТП, 39, 319 (1998); Y.S. Gui, G.Z. Zheng, I.H. Chu, S.L. Guo, X.C. Zhang, D.Y. Tang. J. Appl. Phys., 82, 5000 (1997); T. Thio, S.A. Solin. Appl. Phys. Lett., 72, 3497 (1998); J. Antoszewski, L. Faraone. Proc. SPIE, 2552, 146 (1995)
- E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 53, 1052 (1982)
- D.L. Leslie-Pelesky, D.G. Seiler, M.R. Loloee, G.L. Littler. Appl. Phys. Lett., 51, 1916 (1987)
- J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 80, 3881 (1996)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, C.A. Hoffman, D. Redfern, J. Antoszewski, L. Faraone, J.R. Lindemuth. J. Appl. Phys., 84, 4966 (1998)
- K.K. Svitashev, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, A.S. Mardezhov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V.I. Liberman, V.G. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29, 745 (1994)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.О. Сусляков, В.Н. Овсюк. Прикл. физика, N 5, 121 (2000)
- V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. J. Cryst. Growth, 159, 1161 (1996)
- В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Автометрия, N 4, 59 (1998)
- L. He, J.R. Yang, S.L. Wang, S.P. Guo, M.F. Yu, X.Q. Chen, W.Z. Fang, Y.M. Qiao, Q.Y. Zhang, R.J. Ding, T.L. Xin. J. Cryst. Growth, 175/176, 766 (1997)
- O.A. Shegai, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, A.M. Palkin, Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev. Proc. 8th Int. Conf. on Narrow Gap Semicond. (Shanghai, China, 1997) p. 52
- Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
- H.R. Vydyanath. J. Electrochem. Soc., 128, 2609 (1981)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, А.П. Шотов, Ю.Г. Селиванов, А.В. Бабушкин, В.В. Копылов. Тез. докл. 2-го Росс.-Укр. семинара " Нанофизика и наноэлектроника" (Киев, 2000) с. 109
- E. Weiss, C.R. Helms. J. Electrochem. Soc., 138, 993 (1991)
- E. Weiss, N. Mainzer. J. Vac. Sci. Technol. A, 6, 2765 (1988)
- V.N. Brudnyu, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
- V. Nathan. J. Appl. Phys., 83, 2812 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
