"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование особенностей гальваномагнитных явлений в слоях n-CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Варавин В.С.1, Кравченко А.Ф.1, Сидоров Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Измерены магнитополевые зависимости коэффициента Холла и проводимости в эпитаксиальных структурах CdxHg1-xTe n-типа проводимости при температуре 77 K. Структуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии с заданным распределением состава твердого раствора по толщине. Особенностью полученных зависимостей являются уменьшение проводимости и абсолютной величины коэффициента Холла с ростом магнитного поля. Экспериментальные зависимости можно описать только с привлечением электронов с низкой подвижностью. Показано, что анодный оксид, нанесенный на поверхность пленки CdxHg1-xTe, увеличивает концентрацию электронов с низкой подвижностью, а анодный фторид - уменьшает. Обсуждаются возможные причины, приводящие к появлению медленных электронов. Наиболее вероятными источниками с низкой подвижностью могут являться приповерхностные слои и электрические микронеоднородности пленок CdxHg1-xTe.
  1. В.А. Погребняк, И.М. Раренко, Д.Д. Халамейда, В.М. Яковенко. ФТП, 39, 319 (1998); Y.S. Gui, G.Z. Zheng, I.H. Chu, S.L. Guo, X.C. Zhang, D.Y. Tang. J. Appl. Phys., 82, 5000 (1997); T. Thio, S.A. Solin. Appl. Phys. Lett., 72, 3497 (1998); J. Antoszewski, L. Faraone. Proc. SPIE, 2552, 146 (1995)
  2. E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 53, 1052 (1982)
  3. D.L. Leslie-Pelesky, D.G. Seiler, M.R. Loloee, G.L. Littler. Appl. Phys. Lett., 51, 1916 (1987)
  4. J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 80, 3881 (1996)
  5. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, C.A. Hoffman, D. Redfern, J. Antoszewski, L. Faraone, J.R. Lindemuth. J. Appl. Phys., 84, 4966 (1998)
  6. K.K. Svitashev, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, A.S. Mardezhov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V.I. Liberman, V.G. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29, 745 (1994)
  7. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.О. Сусляков, В.Н. Овсюк. Прикл. физика, N 5, 121 (2000)
  8. V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. J. Cryst. Growth, 159, 1161 (1996)
  9. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Автометрия, N 4, 59 (1998)
  10. L. He, J.R. Yang, S.L. Wang, S.P. Guo, M.F. Yu, X.Q. Chen, W.Z. Fang, Y.M. Qiao, Q.Y. Zhang, R.J. Ding, T.L. Xin. J. Cryst. Growth, 175/176, 766 (1997)
  11. O.A. Shegai, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, A.M. Palkin, Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev. Proc. 8th Int. Conf. on Narrow Gap Semicond. (Shanghai, China, 1997) p. 52
  12. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
  13. H.R. Vydyanath. J. Electrochem. Soc., 128, 2609 (1981)
  14. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, А.П. Шотов, Ю.Г. Селиванов, А.В. Бабушкин, В.В. Копылов. Тез. докл. 2-го Росс.-Укр. семинара " Нанофизика и наноэлектроника" (Киев, 2000) с. 109
  15. E. Weiss, C.R. Helms. J. Electrochem. Soc., 138, 993 (1991)
  16. E. Weiss, N. Mainzer. J. Vac. Sci. Technol. A, 6, 2765 (1988)
  17. V.N. Brudnyu, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  18. V. Nathan. J. Appl. Phys., 83, 2812 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.