"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Примесь Bi в PbSe
Немов С.А.1, Осипов П.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

Изучены особенности легирующего действия примеси Bi и явления самокомпенсации в PbSe. На металлокерамических образцах из данных по эффекту Холла определена зависимость концентрации носителей заряда от содержания Bi и величины избытка Se. Сопоставление экспериментальных данных с расчетными показало, что компенсация донорного действия висмута осуществляется двукратно ионизованными вакансиями свинца. При больших содержаниях примеси NBi>0.5 ат% наблюдается более глубокая компенсация, чем это следует из теории, которая объяснена с учетом возможного образования комплексов <примесный атом>--вакансия и перераспределения Bi между катионной и анионной подрешетками PbSe.
  1. В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, С.А. Немов. ФТП, 29 (2), 309 (1995)
  2. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца: PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968)
  3. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28 (3), 369 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.