"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поликристаллические пленки нитрида галлия, выращенные магнетронным распылением
Блаут-Блачев А.Н.1
1Институт физической химии Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

С помощью высокочастотного магнетронного распыления изготовлены поликристаллические пленки GaN на подложках из Si и поликора. Приложение отрицательного смещения при изготовлении повышает степень кристалличности пленок.
  1. S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86 (1), 1 (1999)
  2. J. Cryst. Growth, 189--190 (1998)
  3. T.L. Tasley, R.J. Egan, S.C. Horrigan. Thin Sol. Films, 164, 441 (1988)
  4. S. Nonomura, S. Kobayashi, T. Gotoh, S. Hirata, T. Ohmori, T. Itoh, S. Nitta, K. Morigaki. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 174 (1996)
  5. C.-W. Wang, J.-Y. Liao, C.-L. Chen, W.-K. Lin, Y.-K. Su, M. Yokoyama. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (4), 1545 (1999)
  6. W.T. Young, S.R.P. Silva, J.V. Anguita, K.P. Homewood, B.J. Sealy. Diamond and Related Mater., 9, 456 (2000)
  7. А.Ф. Белянин, П.В. Пащенко, А.П. Семенов. Приборы и техника эксперимента, N 3, 220 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.