Поликристаллические пленки нитрида галлия, выращенные магнетронным распылением
Блаут-Блачев А.Н.1
1Институт физической химии Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.
С помощью высокочастотного магнетронного распыления изготовлены поликристаллические пленки GaN на подложках из Si и поликора. Приложение отрицательного смещения при изготовлении повышает степень кристалличности пленок.
- S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86 (1), 1 (1999)
- J. Cryst. Growth, 189--190 (1998)
- T.L. Tasley, R.J. Egan, S.C. Horrigan. Thin Sol. Films, 164, 441 (1988)
- S. Nonomura, S. Kobayashi, T. Gotoh, S. Hirata, T. Ohmori, T. Itoh, S. Nitta, K. Morigaki. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 174 (1996)
- C.-W. Wang, J.-Y. Liao, C.-L. Chen, W.-K. Lin, Y.-K. Su, M. Yokoyama. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (4), 1545 (1999)
- W.T. Young, S.R.P. Silva, J.V. Anguita, K.P. Homewood, B.J. Sealy. Diamond and Related Mater., 9, 456 (2000)
- А.Ф. Белянин, П.В. Пащенко, А.П. Семенов. Приборы и техника эксперимента, N 3, 220 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук