"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Уровни структурной модификации свойств некристаллических полупроводников и области их применимости
Попов А.И.1, Воронцов В.А.1, Попов И.А.1
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

Метод структурной модификации свойств некристаллических полупроводников заключается в управлении свойствами этих материалов путем изменения их структуры при неизменном химическом составе. В работе показано, что существует по крайней мере 4 уровня структурной модификации, отличающиеся различными изменениями структуры материала: на уровне ближнего порядка в расположении атомов, на уровне среднего порядка в расположении атомов, на уровне морфологии и на уровне подсистемы дефектов. Каждый уровень структурной модификации вызывает изменения своей определенной группы свойств. В работе анализируется возможность и эффективность изменения структуры на различных упомянутых выше уровнях в ковалентных полупроводниковых материалах IV, V и VI групп Периодической таблицы элементов, а также в ряде систем на их основе. На основании проведенного анализа определены границы применимости различных уровней структурной модификации.
  1. А.И. Попов. Тр. межд. конф. "Аморфные полупроводники-80" (Кишинев, 1980) с. 150
  2. С.Н. Стукач. Автореф. канд. дис. (М., 1996)
  3. A.I. Popov, N.I. Michalev, V.K. Shemetova. Phil. Mag., B47, 73 (1983)
  4. И.А. Попов. ФТП, 30, 466 (1996)
  5. О.В. Лукша, Ю.Ю. Фирцак, П.А. Феннич, В.П. Иваницкий. В кн.: Сложные полупроводники ( получение, свойства, применение), под ред. Д.В. Чепура (Ужгород, 1981) с. 121
  6. A.I. Popov, I.A. Domoryad, N.I. Michalev. Phys. St. Sol. (a), 106, 333 (1988)
  7. А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 67, 646 (1998)
  8. А.И. Машин, А.Ф. Хохлов. ФТП, 33, 1001 (1999)
  9. А.И. Машин. Автореф. докт. дис. (Нижний Новгород, 1999)
  10. В.А. Лигачев, Н.Н. Свиркова, В.А. Филиков, Н.Д. Васильева. ФТП, 30, 1591 (1996)
  11. В.А. Лигачев, А.И. Попов, С.Н. Стукач. ФТП, 28, 2145 (1994)
  12. А.М. Сладков, В.В. Коршак, Ю.П. Кудрявцев, В.И. Касаточкин. Диплом на открытие N 107 от 06.12.71 c приоритетом от 04.11.60. [Открытия СССР 1972 г. Бюлл. изобр., N 6, 3 (1972)
  13. А.И. Андриевский, И.Д. Набитович, П.К.Кринякович. ДАН СССР, 124, 321 (1959)
  14. А.И. Андриевский, И.Д. Набитович. Кристаллография, 5, 465 (1960)
  15. Ю.Г. Полтавцев. Структура полупроводниковых расплавов (М., Металлургия, 1984)
  16. J.C. Phillips. Non-Cryst. Sol., 34, 153 (1979)
  17. J.C. Phillips. Inst. Phys. Conf. Ser., 3, ch. 21, 705 (1979)
  18. J.C. Phillips. Phys. St. Sol. (b), 101, 473 (1980)
  19. R.L. Capelleti, S.S. Yun, H. Li, R.N. Enzweiler, P. Boolchand. Phys. Rev. B, 39, 8702 (1989)
  20. А.И. Попов. Физика и химия стекла, 20, 803 (1994)
  21. J.C. Knights, R.A. Lujan. Appl. Phys. Lett., 35, 214 (1979)
  22. В.А. Лигачев. Автореф. докт. дис. (М., 1998)
  23. О.А. Голикова, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова, М.М. Мездрогина, К.Л. Сорокина, У.С. Бабаходжаев. ФТП, 23, 1737 (1989)
  24. О.А. Голикова. ФТП, 25, 1517 (1991)
  25. С.А. Дембовский, С.А. Козюхин, Е.А. Чечеткина, С.П. Вихров, А.Л. Денисов, Ю.Н. Кобцева. Сб. докл. межд. конф. " Аморфные полупроводники-84" (Габрово, 1984) т. 1, с. 88
  26. С.А. Дембовский, Е.А. Чечеткина, С.А. Козюхин. Письма ЖЭТФ, 41, 74 (1985)
  27. С.А. Дембовский, А.С. Зюбин, Ф.В. Григорьев. ФТП, 32, 944 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.