Уровни структурной модификации свойств некристаллических полупроводников и области их применимости
Попов А.И.1, Воронцов В.А.1, Попов И.А.1
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.
Метод структурной модификации свойств некристаллических полупроводников заключается в управлении свойствами этих материалов путем изменения их структуры при неизменном химическом составе. В работе показано, что существует по крайней мере 4 уровня структурной модификации, отличающиеся различными изменениями структуры материала: на уровне ближнего порядка в расположении атомов, на уровне среднего порядка в расположении атомов, на уровне морфологии и на уровне подсистемы дефектов. Каждый уровень структурной модификации вызывает изменения своей определенной группы свойств. В работе анализируется возможность и эффективность изменения структуры на различных упомянутых выше уровнях в ковалентных полупроводниковых материалах IV, V и VI групп Периодической таблицы элементов, а также в ряде систем на их основе. На основании проведенного анализа определены границы применимости различных уровней структурной модификации.
- А.И. Попов. Тр. межд. конф. "Аморфные полупроводники-80" (Кишинев, 1980) с. 150
- С.Н. Стукач. Автореф. канд. дис. (М., 1996)
- A.I. Popov, N.I. Michalev, V.K. Shemetova. Phil. Mag., B47, 73 (1983)
- И.А. Попов. ФТП, 30, 466 (1996)
- О.В. Лукша, Ю.Ю. Фирцак, П.А. Феннич, В.П. Иваницкий. В кн.: Сложные полупроводники ( получение, свойства, применение), под ред. Д.В. Чепура (Ужгород, 1981) с. 121
- A.I. Popov, I.A. Domoryad, N.I. Michalev. Phys. St. Sol. (a), 106, 333 (1988)
- А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 67, 646 (1998)
- А.И. Машин, А.Ф. Хохлов. ФТП, 33, 1001 (1999)
- А.И. Машин. Автореф. докт. дис. (Нижний Новгород, 1999)
- В.А. Лигачев, Н.Н. Свиркова, В.А. Филиков, Н.Д. Васильева. ФТП, 30, 1591 (1996)
- В.А. Лигачев, А.И. Попов, С.Н. Стукач. ФТП, 28, 2145 (1994)
- А.М. Сладков, В.В. Коршак, Ю.П. Кудрявцев, В.И. Касаточкин. Диплом на открытие N 107 от 06.12.71 c приоритетом от 04.11.60. [Открытия СССР 1972 г. Бюлл. изобр., N 6, 3 (1972)
- А.И. Андриевский, И.Д. Набитович, П.К.Кринякович. ДАН СССР, 124, 321 (1959)
- А.И. Андриевский, И.Д. Набитович. Кристаллография, 5, 465 (1960)
- Ю.Г. Полтавцев. Структура полупроводниковых расплавов (М., Металлургия, 1984)
- J.C. Phillips. Non-Cryst. Sol., 34, 153 (1979)
- J.C. Phillips. Inst. Phys. Conf. Ser., 3, ch. 21, 705 (1979)
- J.C. Phillips. Phys. St. Sol. (b), 101, 473 (1980)
- R.L. Capelleti, S.S. Yun, H. Li, R.N. Enzweiler, P. Boolchand. Phys. Rev. B, 39, 8702 (1989)
- А.И. Попов. Физика и химия стекла, 20, 803 (1994)
- J.C. Knights, R.A. Lujan. Appl. Phys. Lett., 35, 214 (1979)
- В.А. Лигачев. Автореф. докт. дис. (М., 1998)
- О.А. Голикова, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова, М.М. Мездрогина, К.Л. Сорокина, У.С. Бабаходжаев. ФТП, 23, 1737 (1989)
- О.А. Голикова. ФТП, 25, 1517 (1991)
- С.А. Дембовский, С.А. Козюхин, Е.А. Чечеткина, С.П. Вихров, А.Л. Денисов, Ю.Н. Кобцева. Сб. докл. межд. конф. " Аморфные полупроводники-84" (Габрово, 1984) т. 1, с. 88
- С.А. Дембовский, Е.А. Чечеткина, С.А. Козюхин. Письма ЖЭТФ, 41, 74 (1985)
- С.А. Дембовский, А.С. Зюбин, Ф.В. Григорьев. ФТП, 32, 944 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук