"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Методика определения стехиометрического состава твердого раствора кадмий--ртуть--теллур из вольт-фарадных характеристик
Иванкив И.М.1, Яфясов А.М.1, Божевольнов В.Б.1, Перепелкин А.Д.1
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Предложена методика определения стехиометрического состава собственного полупроводника Hg1-xCdsTe с использованием эффекта поля в электролите. Оригинальный сравнительный анализ вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально и рассчитанных в рамках квантового описания области пространственного заряда, позволяет найти значение x в приповерхностном слое полупроводника на глубине, соизмеримой с дебаевским радиусом экранирования. Представлены результаты определения стехиометрического состава четырех образцов Hg1-xCdxTe (x=0.205, 0.245, 0.290, 0330).
  1. P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
  2. В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
  3. A.M. Yafyasov, I.M. Ivankiv, V.B. Bogevolnov. Appl. Surf. Sci., 142, 629 (1999)
  4. O.E. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  5. И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.