Представлены экспериментальные результаты исследования фотопроводимости и кинетических процессов в тонких (0.2-0.3 мкм) эпитаксиальных слоях n-PbTe(Ga), полученных методом "горячей стенки" на подложках BaF₂ < 111>. Фотоэлектрические свойства образцов были исследованы в температурном диапазоне 4.2-300 K в условиях импульсной (GaAs-светодиод) и непрерывной (миниатюрная лампа накаливания) ифракрасной подсветки. Наиболее важной характерной особенностью исследованных пленок является существенное увеличение температурного диапазона фоточувствительности. При плотности светового потока 10⁵-10⁴ Вт/см² температура, соответствующая появлению фоточувствительности T_C, достигала 150 K, что на 40 и 70 K превышает соответствующие значения для более толстых пленок (2-3 мкм) и высокоомных монокристаллов n-PbTe(Ga). Анализ кинетики фотопроводимости показывает, что в тонких слоях удалось реализовать равномерное по объему фотовозбуждение. Оценена величина рекомбинационного барьера для долговременных релаксационных процессов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.