Вышедшие номера
Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев n-PbTe(Ga)
Акимов Б.А.1, Богоявленский В.А.1, Рябова Л.И.1, Васильков В.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Представлены экспериментальные результаты исследования фотопроводимости и кинетических процессов в тонких (0.2-0.3 мкм) эпитаксиальных слоях n-PbTe(Ga), полученных методом "горячей стенки" на подложках BaF2 < 111>. Фотоэлектрические свойства образцов были исследованы в температурном диапазоне 4.2-300 K в условиях импульсной (GaAs-светодиод) и непрерывной (миниатюрная лампа накаливания) ифракрасной подсветки. Наиболее важной характерной особенностью исследованных пленок является существенное увеличение температурного диапазона фоточувствительности. При плотности светового потока 105-104 Вт/см2 температура, соответствующая появлению фоточувствительности TC, достигала 150 K, что на 40 и 70 K превышает соответствующие значения для более толстых пленок (2-3 мкм) и высокоомных монокристаллов n-PbTe(Ga). Анализ кинетики фотопроводимости показывает, что в тонких слоях удалось реализовать равномерное по объему фотовозбуждение. Оценена величина рекомбинационного барьера для долговременных релаксационных процессов.