"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Использование амфотерности примесных атомов кремния для получения планарных p-n-переходов на подложках GaAs с ориентацией (111)A методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Галиев Г.Б.1, Каминский В.Э.1, Мокеров В.Г.1, Велиховский Л.Э.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 31 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Выращены эпитаксиальные слои n- и p-типа проводимости. Показано, что морфология слоев p-типа проводимости значительно хуже морфологии слоев n-типа. Однако в обоих случаях спектры фотолюминесценции и подвижность носителей тока не сильно отличаются от аналогичных характеристик для монокристаллических образцов. Также получены планарные p-n-переходы и изготовлены диоды. В зависимости от структуры слоев вольт-амперные характеристики приборов имеют вид обычного или обращенного диода.
  1. Y. Okano, H. Seto, H. Katahama et al. Japan. J. Appl. Phys., 28, L151 (1989)
  2. F. Piazza, L. Pavesi, M. Henin, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
  3. В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров. ФТП, 32 1320 (1998)
  4. D.L. Miller. Appl. Phys. Lett., 47, 1309 (1985)
  5. M. Fujii, T. Takebe, T. Yamamoto et al. Superlat. Microstruct., 12, 167 (1992)
  6. K. Fujita, H. Ohnishi, M. Hirai et al. Sol. St. Electron., 40, 663 (1996)
  7. G. Borghs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe et al. Appl. Phys., 66 4381 (1989)
  8. L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) Т. 1--2. Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.- Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, Wiley-Interscience Publication, 1981) v. 1--2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.