Использование амфотерности примесных атомов кремния для получения планарных p-n-переходов на подложках GaAs с ориентацией (111)A методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Галиев Г.Б.1, Каминский В.Э.1, Мокеров В.Г.1, Велиховский Л.Э.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 31 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Выращены эпитаксиальные слои n- и p-типа проводимости. Показано, что морфология слоев p-типа проводимости значительно хуже морфологии слоев n-типа. Однако в обоих случаях спектры фотолюминесценции и подвижность носителей тока не сильно отличаются от аналогичных характеристик для монокристаллических образцов. Также получены планарные p-n-переходы и изготовлены диоды. В зависимости от структуры слоев вольт-амперные характеристики приборов имеют вид обычного или обращенного диода.
- Y. Okano, H. Seto, H. Katahama et al. Japan. J. Appl. Phys., 28, L151 (1989)
- F. Piazza, L. Pavesi, M. Henin, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
- В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров. ФТП, 32 1320 (1998)
- D.L. Miller. Appl. Phys. Lett., 47, 1309 (1985)
- M. Fujii, T. Takebe, T. Yamamoto et al. Superlat. Microstruct., 12, 167 (1992)
- K. Fujita, H. Ohnishi, M. Hirai et al. Sol. St. Electron., 40, 663 (1996)
- G. Borghs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe et al. Appl. Phys., 66 4381 (1989)
- L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) Т. 1--2. Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.- Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, Wiley-Interscience Publication, 1981) v. 1--2
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
