"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы вхождения примеси сурьмы в кристаллы теллурида кадмия
Никонюк Е.С.1, Захарук З.И.2, Шляховый В.Л.1, Фочук П.М.2, Раренко А.И.2
1Ривненский государственный технический университет, Ривне, Украина
2Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 31 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Рассмотрены результаты электрофизических исследований кристаллов CdTe, выращенных методом Бриджмена и легированных примесью Sb в концентрациях 1017-3·1019-3. Анализ температурных зависимостей коэффициента Холла, подвижности носителей тока и фотопроводимости при собственном возбуждении для образцов из различных участков слитков позволяет заключить, что при легировании кристаллов CdTe примесью сурьмы вводятся центры SbTe, SbCd и ассоциаты (SbTeSbCd). Дырочная проводимость в легированных кристаллах контролируется акцепторами A3 (SbTe), концентрация которых не превышает 5·1016 см-3 и существенно меньше реального содержания сурьмы. Энергия ионизации акцепторов A3 составляет (0.28±0.01) эВ. В неравновесных условиях эти акцепторы играют роль центров прилипания для дырок (при высоких температурах) и медленных центров рекомбинации для электронов (при низких температурах).
  1. E. Molva, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, G. Milchberg, N. Magnea. Phys. Rev. B, 30 (6), 3344 (1984)
  2. Y. Iwamura, S. Yamamori, H. Negishi, M. Moriyama. J. Appl. Phys., 24 (3), 361 (1985)
  3. П.М. Фочук, О.Э. Панчук, Д.П. Белоцкий. Нерг. матер., 3, 504 (1986)
  4. Е.С. Никонюк, В.Л. Шляховый, М.А. Ковалец, П.И. Фейчук, Л.П. Щербак, З.И. Захарук. Неорг. матер., 28 (12), 2294 (1992)
  5. В.П. Заячкивский, Н.В. Кощановский, Н.И. Кучма. Деп. ЦНИИ "Электроника", N P-3326(1981)
  6. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  7. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., ИЛ, 1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.