Рассмотрены результаты электрофизических исследований кристаллов CdTe, выращенных методом Бриджмена и легированных примесью Sb в концентрациях 10¹⁷-3·10¹⁹ cм^-3. Анализ температурных зависимостей коэффициента Холла, подвижности носителей тока и фотопроводимости при собственном возбуждении для образцов из различных участков слитков позволяет заключить, что при легировании кристаллов CdTe примесью сурьмы вводятся центры Sb_Te, Sb_Cd и ассоциаты (Sb_TeSb_Cd). Дырочная проводимость в легированных кристаллах контролируется акцепторами A₃ (Sb_Te), концентрация которых не превышает 5·10¹⁶ см^-3 и существенно меньше реального содержания сурьмы. Энергия ионизации акцепторов A₃ составляет (0.28±0.01) эВ. В неравновесных условиях эти акцепторы играют роль центров прилипания для дырок (при высоких температурах) и медленных центров рекомбинации для электронов (при низких температурах).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.