"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе InGaAs(Sb)
Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1, Шустов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов с длиной волны 3.1--3.6 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои InGaAs или InGaAsSb на подложке n+-InAs, в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Получен коэффициент преобразования 90 мВт / А·см2, сравнимый с данными для инжекционных светодиодов.
  1. M. Takeshima. J. Appl. Phys., 43 (10), 4114 (1972)
  2. J.L. Malin, C.L. Felix, J.R. Meyer, C.A. Hoffman, J.F. Pinto, C.-H. Lin, P.C. Chang, S.J. Murry, S.-S. Pei. Electron. Lett., 32 (17), 1593 (1996)
  3. M. Boroditsky, T.F. Krauss, R. Coccioli, R. Vrijen, R. Bhat, E. Yablonovitch. Appl. Phys. Lett., 75 (8), 1036 (1999)
  4. Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 67 (11), 7034 (1990)
  5. X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, N.L. Rowell, Y. Lacraoix, A. Mangyou, M. Aoyama, M. Kumagawa. Japan. J. Appl. Phys., 36, 738 (1997)
  6. Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33 (8), 1010 (1999)
  7. A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev. J. Appl. Phys., 85 (12), 8419 (1999)
  8. B. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Il'inskaya, N. Stus', V. Shustov, G. Talalakin, J. Malinen. IEE Proc. Optoelectron., 145 (5), 254 (1998)
  9. A.A. Bergh, P.J. Dean. Light-emitting diodes (Claredon Press, Oxford, 1976)
  10. M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Ereny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76 (8), 943 (2000)
  11. D.D. Sell, H.C. Casey Jr. J. Appl. Phys., 45 (2), 800 (1974)
  12. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 99 (2000)
  13. Н.В. Зотова, А.В. Лосев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, А.С. Филипченко. Письма ЖТФ, 16 (4), 76 (1990)
  14. http: // www.ioffe.rssi.ru / SVA / NSM / Nano / index.html
  15. Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Б.А. Матвеев, Л.Д. Неуймина, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 19 (11), 2031 (1985)
  16. M.K. Parry, A. Krier. Semicond. Sci. Technol., 8, 1764 (1993)
  17. M.K. Parry, A. Krier. Electron. Lett., 30 (23), 1968 (1994)
  18. Б.А. Матвеев, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Патент РФ N 2154324 с приоритетом от 27.04.99

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.