Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе InGaAs(Sb)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.
Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов с длиной волны 3.1-3.6 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои InGaAs или InGaAsSb на подложке n+-InAs, в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Получен коэффициент преобразования 90 мВт / А·см2, сравнимый с данными для инжекционных светодиодов.
- M. Takeshima. J. Appl. Phys., 43 (10), 4114 (1972)
- J.L. Malin, C.L. Felix, J.R. Meyer, C.A. Hoffman, J.F. Pinto, C.-H. Lin, P.C. Chang, S.J. Murry, S.-S. Pei. Electron. Lett., 32 (17), 1593 (1996)
- M. Boroditsky, T.F. Krauss, R. Coccioli, R. Vrijen, R. Bhat, E. Yablonovitch. Appl. Phys. Lett., 75 (8), 1036 (1999)
- Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 67 (11), 7034 (1990)
- X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, N.L. Rowell, Y. Lacraoix, A. Mangyou, M. Aoyama, M. Kumagawa. Japan. J. Appl. Phys., 36, 738 (1997)
- Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33 (8), 1010 (1999)
- A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev. J. Appl. Phys., 85 (12), 8419 (1999)
- B. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Il'inskaya, N. Stus', V. Shustov, G. Talalakin, J. Malinen. IEE Proc. Optoelectron., 145 (5), 254 (1998)
- A.A. Bergh, P.J. Dean. Light-emitting diodes (Claredon Press, Oxford, 1976)
- M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Ereny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76 (8), 943 (2000)
- D.D. Sell, H.C. Casey Jr. J. Appl. Phys., 45 (2), 800 (1974)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 99 (2000)
- Н.В. Зотова, А.В. Лосев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, А.С. Филипченко. Письма ЖТФ, 16 (4), 76 (1990)
- http: // www.ioffe.rssi.ru / SVA / NSM / Nano / index.html
- Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Б.А. Матвеев, Л.Д. Неуймина, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 19 (11), 2031 (1985)
- M.K. Parry, A. Krier. Semicond. Sci. Technol., 8, 1764 (1993)
- M.K. Parry, A. Krier. Electron. Lett., 30 (23), 1968 (1994)
- Б.А. Матвеев, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Патент РФ N 2154324 с приоритетом от 27.04.99
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
