"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероэпитаксия полупроводниковых соединений AIIBVI на охлажденной подложке
Беляев А.П.1, Рубец В.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Cообщается о результатах исследования процессов формирования высокоориентированных пленок на подложке, охлажденной до отрицательных по шкале Цельсия температур при конденсации в вакууме теллурида и сульфида кадмия. Приводятся данные технологических, электронографических и рентгенографических исследований. Построены диаграммы конценсации. Выявлены режимы, отличающиеся аномально низкой скоростью формирования пленок. Установлена корреляция между этими режимами и свойствами формирующейся структуры. Проводится сопоставление результатов с данными, полученными при исследовании процессов формирования высокоориентированных пленок золота в резко неравновесных условиях. Демонстрируется соответствие экспериментальных результатов солитонной модели гетероэпитаксии.
  • А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТТ, 39 (2), 382 (1997)
  • А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. Неорг. матер., 34 (3), 281 (1998)
  • А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТП, 31 (8), 966 (1997)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
  • И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (Л., 1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.