Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероэпитаксия полупроводниковых соединений AIIBVI на охлажденной подложке
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.
Cообщается о результатах исследования процессов формирования высокоориентированных пленок на подложке, охлажденной до отрицательных по шкале Цельсия температур при конденсации в вакууме теллурида и сульфида кадмия. Приводятся данные технологических, электронографических и рентгенографических исследований. Построены диаграммы конценсации. Выявлены режимы, отличающиеся аномально низкой скоростью формирования пленок. Установлена корреляция между этими режимами и свойствами формирующейся структуры. Проводится сопоставление результатов с данными, полученными при исследовании процессов формирования высокоориентированных пленок золота в резко неравновесных условиях. Демонстрируется соответствие экспериментальных результатов солитонной модели гетероэпитаксии.
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТТ, 39 (2), 382 (1997)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. Неорг. матер., 34 (3), 281 (1998)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТП, 31 (8), 966 (1997)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
- И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений AIIBVI (Л., 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
