"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование гетероструктур SiC/(SiC)1-x(AlN)x методом вольт-фарадных характеристик
Курбанов М.К.1, Билалов Б.А.1, Нурмагомедов Ш.А.1, Сафаралиев Г.К.1
1Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 31 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Методом измерения и анализа вольт-фарадных характеристик установлено, что в гетероструктурах n-6H-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x, полученных сублимационной эпитаксией слоев (SiC)1-x(AlN)x на подложках 6H-SiC, образуются резкие гетеропереходы толщиной ~10-4 см. Из вольт-фарадных характеристик определены основные свойства гетероструктур в зависимости от состава эпитаксиального слоя и температуры.
  1. А.П. Дмитриев, Н.В. Евлахов, А.С. Фурман. ФТП, 30 (1), 106 (1996)
  2. Г.К. Сафаралиев, М.К. Курбанов, Н.В. Офицерова, Ю.М. Таиров. Изв. РАН. Неорг. матер., N 6 (1995)
  3. Ш.А. Нурмагомедов, А.Н. Пихтин, В.Н. Резбегаев, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Письма ЖТФ, 12 (17), 1043 (1986)
  4. А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, К.И. Игнатьев. ФТП, 30 (10), 1865 (1996)
  5. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. ФТП, 22 (1), 133 (1987)
  6. Справочник по электротехническим материалам, под ред. Ю.В. Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева (Л., Энергоатомиздат, 1988) т. 3
  7. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  8. А.Н. Пихтин, Д.А. Яськов. ФТП, 12 (6), 1597 (1986)
  9. Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.