Исследована при 77 K фотолюминесценция образцов GaAs:Te:Cu и GaAs:Su:Cu n-типа с концентрацией электронов ~ 10¹⁸ см^-3. В спектре фотолюминесценции при межзонном возбуждении доминировала широкая полоса с максимумом при энергии фотонов 1.30 эВ (GaAs:Te:Cu) или 1.27 эВ (GaAs:Sn:Cu), вызванная рекомбинацией электронов с дырками, локализованными на комплексах Cu_GaTe_As или Cu_GaSn_Ga. Обнаружено, что длинноволновый край спектра возбуждения этой фотолюминесценции при энергиях фотонов менее ~1.4 эВ определяется оптическим выбросом электронов с комплексов в зону проводимости или на мелкое возбужденное состояние. Значения поляризации фотолюминесцении при возбуждении поляризованным светом из этой спектральной области приводят к заключению, что исследованные комплексы не имеют дополнительных дисторсий, вызванных взаимодействием дырки, связанной на комплексе в излучающем состоянии, с локальными фононами низкой симметрии. Это отличает комплексы Cu_GaTe_As и Cu_GaSn_Ga от комплексов, содержащих вместо атомов Cu вакансию галлия (V_Ga). Такое различие отражает различную степень взаимодействия дырки, локализованной на орбитали изолированного глубокого акцептора в состоянии, соответствующем его состоянию в комплексе перед излучением (Cu^-_Ga и V^2-_Ga), с низкосимметричными колебаниями атомов. Возмущение орбиталей дырки, вносимое донором в комплексе, практически не изменяет это взаимодействие.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.