Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карбида кремния

Савкина Н.С.¹, Ратников В.В.¹, Шуман В.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 июля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты исследования слоев пористого карбида кремния, полученных электрохимическим травлением 6H-SiC при трех значениях плотностей анодного тока. Структура слоев пористого карбида кремния изучалась методами рентгеновской двухкристальной и трехкристальной дифрактометрии и сканирующей электронной микроскопией до и после высокотемпературного сублимационного роста слоев 6H-SiC. Установлено, что количество пор в структуре не зависит от плотности тока при электрохимическом травлении. Возрастание эффективного диаметра пор с увеличением плотности тока приводит к увеличению пористости структуры. В результате высокотемпературного отжига происходит перестройка структуры без изменения пористости образцов. Перестройка сопровождается слиянием отдельных пор и увеличением их диаметра.

T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura. Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994)
A.O. Konstantinov, A. Henry, C.I. Harris, E. Jansen. Appl. Phys. Lett., 66 (17), 2250 (1995)
А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук, А.Ю. Рогачев. ФТП, 31 (4), 420 (1997) [Semiconductors, 31 (4), 354 (1997)]
A.M. Danishevskii, M.V. Zamoryanskaya, A.A. Sitnikova, V.B. Shuman, A.A. Suvorova. Semicond. Sci. Technol., 3, 1111 (1998)
S. Zangooie, H. Arwin. Extended Abstr. of the 2nd International Conference (Madrid, March 12--17, 2000) p. 117
M. Mynbaeva, N. Savkina, A. Zubrilov, N. Seredova, M. Scheglov, A. Titkov, A. Tregubova, A. Lebedev, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, V. Dmitriev. Mater. Res. Symp. Vol. 587 (C): 2000 Materials Research Society, 08.6.1
J.S. Shor, I. Grimberg, B.-Z. Weiss, A.D. Kurtz. Appl. Phys. Lett., 62, 2836 (1993)
N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 165 (1999)
В.В. Ратников. ФТТ, 39 (5), 956 (1997)
G. Stoney. Proc. R. Soc. London, Ser. A, 82, 172 (1925)
G. Rozgonyi, P. Petroff, M. Panish. J. Cryst. Growth, 27, 106 (1974)
D. Bellet, G. Dolino, M. Ligeon, P. Blanc, M. Krisch. J. Appl. Phys., 71, 145 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель