"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Владимир Михайлович Арутюнян (к шестидесятилетию со дня рождения )
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

[!t] [width=]arut.eps В августе 2000 года исполнилось 60 лет известному ученому в области физики и техники полупроводников, действительному члену Национальной академии наук Армении, заведующему кафедрой физики полупроводников и диэлектриков Ереванского государственного университета, профессору Владимиру Михайловичу Арутюняну. Вся его научная и научно-организаторская деятельность неразрывно связана с зарождением и развитием в Армении физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники. Он - автор ряда монографий и обзорных статей. Им разработана обобщенная теория генерационно-рекомбинационных и инжекционных явлений в полупроводниковых структурах со сложной зонной структурой, были предложены новые механизмы формирования участков отрицательного дифференциального сопротивления S-типа и ряда других аномальных эффектов в условиях двойной инжекции и ударной ионизации. Значительный вклад внесен В.М. Арутюняном в теорию сильнополевых и концентрационных явлений в таких приборах СВЧ диапазона, как диоды Ганна и инжекционно-пролетные диоды. Вместе с коллегами и учениками им выполнены большие циклы экспериментальных и теоретических работ по физике компенсированных, варизонных, магнито- и ионно-чувствительных полупроводников, фотоприемников ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов (в том числе с внутренним усилением), солнечных элементов, сверхпроводящих систем, пористого кремния и т. д. Предложены новые приборы, технологические методы и устройства, защищенные авторскими свидетельствами СССР, патентами США и РФ. Крупный вклад внесен В.М. Арутюняном в решение проблемы фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии, в физику процессов на границах раздела полупроводник-электролит и полупроводник-газ. Многие работы с его участием продолжают выполняться совместно с учеными России, США, Германии, Франции, Швеции. Благодаря плодотворной деятельности В.М. Арутюняна кафедра вместе с научно-исследовательской лабораторией физики полупроводников Ереванского университета стала одним из крупных научных центров. Профессор В.М. Арутюнян уделяет большое внимание подготовке научных кадров. Среди его учеников много докторов и кандидатов наук. Он - главный редактор журнала "Известия НАН Армении. Физика", английская версия которого издается в США. Свой юбилей В.М. Арутюнян встречает в расцвете сил. Поздравляя В.М. Арутяняна с 60-летним юбилеем, его коллеги и друзья желают ему творческого долголетия, научных успехов и достижений в благородном деле подготовки научных кадров. Коллеги, друзья и коллектив редколлегии журнала
  1. Н.И. Гольбрайх, А.Ф. Плотников, В.Э. Шубин, Квант. электрон., 2, 2624 (1975)
  2. S.V. Bogdanov, A.B. Kravchenko, A.F. Plotnikov, V.E. Shubin. Phys. St. Sol. (a), 93, 361 (1986)
  3. Т.М. Бурбаев, В.В. Кравченко, В.А. Курбатов, В.Э. Шубин. КСФ ФИАН, N 4, 19 (1990)
  4. А.Г. Гасанов, В.М. Головин, З.Я. Садыгов, Н.Ю. Юсипов. Письма ЖТФ, 14, 706 (1988)
  5. Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов. КСФ ФИАН, N 11--12, 38 (1994)
  6. А.П. Болтаев, Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, Т.И. Осина, Н.Н. Соловьев. ФТП, 29, 1220 (1995)
  7. З.Я. Садыгов. Патент России N 2086047 от 30.05.1996
  8. N. Bacchetta, D. Bisello, Z. Sadygov et al. Nucl. Instr. a Meth. in Phys. Res. (A), 387, N 1--2, 225 (1997)
  9. З.Я. Садыгов, М.К. Сулейманов, Т.Ю. Бокова. Письма ЖТФ, 26, вып. 7, 75 (2000)
  10. R. McIntyre. J. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13, N 1, 164 (1966)
  11. R.B. Emmons. J. Appl. Phys., 38, 3705 (1967)
  12. T. Kaneda et al. J. Appl. Phys., 47, 4960 (1976)
  13. T.M. Бурбаев, В.А. Курбатов. Н.Е. Курочкин, В.А. Холоднов. ФТП, 34, 1010 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.