"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перенос носителей заряда в наноразмерных периодических структурах Si/CaF2 с участием ловушек
Берашевич Ю.А.1, Данилюк А.Л.1, Холод А.Н.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 28 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Предложена модель переноса носителей заряда в наноразмерных периодических структурах Si/CaF2 с участием ловушек в диэлектрике. Моделирование вольт-амперных характеристик таких структур показало, что участие ловушек в токопереносе на 2-3 порядка увеличивает общий переносимый заряд и может стать причиной немонотонной вольт-амперной характеристики. При этом на величину переноса по уровням ловушек оказывают влияние положение энергетического уровня, соответствующего ловушкам, число состояний в ловушке на траектории движения носителей заряда, величина отклонения траектории движения от прямолинейной, толщина диэлектрика и высота потенциального барьера.
  1. C.G. Smith. Rep. Prog. Phys., 59, 235 (1994)
  2. L. Vervoort, F. Bassani, I. Michalcescu, J.C. Vial, F. Arnaud d'Avitaya. Phys. St. Sol., 190, 123 (1995)
  3. F. Bassani, L. Vervoort, I. Michalcescu, J.C. Vial, F. Arnaud d'Avitaya. J. Appl. Phys., 79, 4066 (1996)
  4. F. Arnaud d'Avitaya, L. Vervoort, F. Bassani, S. Ossicini, A. Faxolino, F. Bernardini. Europhys. Lett., 31, 25 (1995)
  5. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  6. В.Е. Борисенко, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод. Микроэлектроника, 27, 170 (1998)
  7. V. Ioannou-Sougleridis, V. Tsakiri, A.G. Nassiopoulou, F. Bassani, S. Menard, F. Arnaud d'Avitaya. European projects: Silicon Modules for Integrated Light Engineering (Marseille, France, 1999) p. 133
  8. S. Menard, F. Bassani, M. Liniger, F. Arnaud d'Avitaya, A.N. Kholod, V.E. Borisenko. Physics Chemistry and Application of Nanostructures (Minsk, Belarus, 1999) p. 23
  9. C.B. Duke. Solid Physics Supplement 10 (N.Y., Academic Press, 1969) p. 390
  10. Электронные процессы и дефекты в ионных кристаллах. Сб. науч. тр., под ред. И. Тале (Рига, Латвия, 1985)
  11. В.Я. Кирпиченков. ЖЭТФ, 113, 1522 (1998)
  12. И.М. Лифшиц, В.Я. Кирпиченков. ЖЭТФ, 77, 989 (1979)
  13. M.T. Cuberes, A. Bauer, H.J. Wen, M. Prietsch, G. Kaindl. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 2646 (1994)
  14. C. Svensson, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 44, 4657 (1973).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.