"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0.90Si0.10 : Hx
Наджафов Б.А.1
1Сектор радиационных исследований Академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 24 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Аморфные пленки твердого раствора Ge0.90Si0.10 : Hx (x=1.3, 5.1, 8.7, 14.2 и 23.7 ат%) толщиной 1 мкм были получены в атмосфере с различными парциальными давлениями водорода методом плазмохимического осаждения. Скорость осаждения составляла 0.3-0.5 Angstrem/c. Измерения электропроводности пленок проведены в температурной области 100-420 K. Измерена темновая проводимость пленки, рассчитаны энергия активации прыжка при температуре 100 K, длина прыжка, подвижность электронов на уровнях varepsilonF и varepsilonC, а также энергия активации проводимости.
  1. G. Nakamura, K. Sato, Y. Yukimoto, K. Shirahata, T. Murahashi, K. Fujiwara. Jap. J. Appl. Phys., 20, 291 (1981)
  2. P.K. Banerjee, R. Dutta, S.S. Mitra. J. Non-Cryst. Sol., 50, 11 (1983)
  3. Ф.С. Насреддинов, А.А. Андреев, О.А. Голикова, А.Н. Курмантаев, П.П. Серегин. ФТП, 15, 1871 (1983)
  4. B.A. Najafov, M.Ya. Bakinov, V.S. Mamedov. Phys. St. Sol. (a), 123, 67 (1991)
  5. А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, А.В. Ершов, Н.И. Машин, Е.В. Ларина. ФТП, 19, 2204 (1985)
  6. Б.А. Наджафов, М.Я. Бакиров, В.С. Мамедов. ДАН Азербайджана, 2, 30 (1989)
  7. А.В. Раков. Спектрофотометрия тонких пленок (М., Наука, 1975) с. 175
  8. H. Shank, L. Ley, M. Cardona, F.J. Demond, S. Kalbitzer. Phys. St. Sol. (b), 100, 17 (1980)
  9. Y. Catherine, G. Turban. Thin Sol. Films, 70, 107 (1980)
  10. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 2, с. 658. [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials, 2nd ed. (Clarendon, Oxford, 1979)]
  11. A.M. Szpilka, P. Viscer. Phil. Mag. (B), 45, 485 (1982)
  12. А.А. Андреев, О.А. Голикова, М.М. Казанин, М.М. Мездрогина. ФТП, 14, 53 (1986)
  13. R.J. Loveland, W.E. Spear, A.Al. Sherbaty. J. Non-Cryst. Sol., 13, 55 (1973)
  14. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 2: Электронные и колебательные свойства, под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски (М., Мир, 1988) с. 447. [Пер. с англ.: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties, ed. by J.D. Joannopouls, G. Lucovsky (Berlin--Heidelberg--N.Y.--Tokyo, Springer Verlag, 1984)]
  15. Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982) с. 419. [Пер. с англ. Amorphous Semiconductors, ed. by M.H. Brodsky (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg--N.Y., 1979)]
  16. S.K. Bahl, S.M. Bhagat. J. Non-Cryst. Sol., 17, 409 (1983)
  17. M.Ya. Bakirov, B.A. Najafov, V.S. Mamedov, R.S. Madatov. Phys. St. Sol. (a), 114, 45 (1989).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.