Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
Аморфные пленки твердого раствора Ge0.90Si0.10 : Hx (x=1.3, 5.1, 8.7, 14.2 и 23.7 ат%) толщиной 1 мкм были получены в атмосфере с различными парциальными давлениями водорода методом плазмохимического осаждения. Скорость осаждения составляла 0.3-0.5 Angstrem/c. Измерения электропроводности пленок проведены в температурной области 100-420 K. Измерена темновая проводимость пленки, рассчитаны энергия активации прыжка при температуре 100 K, длина прыжка, подвижность электронов на уровнях varepsilonF и varepsilonC, а также энергия активации проводимости.
- G. Nakamura, K. Sato, Y. Yukimoto, K. Shirahata, T. Murahashi, K. Fujiwara. Jap. J. Appl. Phys., 20, 291 (1981)
- P.K. Banerjee, R. Dutta, S.S. Mitra. J. Non-Cryst. Sol., 50, 11 (1983)
- Ф.С. Насреддинов, А.А. Андреев, О.А. Голикова, А.Н. Курмантаев, П.П. Серегин. ФТП, 15, 1871 (1983)
- B.A. Najafov, M.Ya. Bakinov, V.S. Mamedov. Phys. St. Sol. (a), 123, 67 (1991)
- А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, А.В. Ершов, Н.И. Машин, Е.В. Ларина. ФТП, 19, 2204 (1985)
- Б.А. Наджафов, М.Я. Бакиров, В.С. Мамедов. ДАН Азербайджана, 2, 30 (1989)
- А.В. Раков. Спектрофотометрия тонких пленок (М., Наука, 1975) с. 175
- H. Shank, L. Ley, M. Cardona, F.J. Demond, S. Kalbitzer. Phys. St. Sol. (b), 100, 17 (1980)
- Y. Catherine, G. Turban. Thin Sol. Films, 70, 107 (1980)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 2, с. 658. [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials, 2nd ed. (Clarendon, Oxford, 1979)]
- A.M. Szpilka, P. Viscer. Phil. Mag. (B), 45, 485 (1982)
- А.А. Андреев, О.А. Голикова, М.М. Казанин, М.М. Мездрогина. ФТП, 14, 53 (1986)
- R.J. Loveland, W.E. Spear, A.Al. Sherbaty. J. Non-Cryst. Sol., 13, 55 (1973)
- Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 2: Электронные и колебательные свойства, под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски (М., Мир, 1988) с. 447. [Пер. с англ.: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties, ed. by J.D. Joannopouls, G. Lucovsky (Berlin--Heidelberg--N.Y.--Tokyo, Springer Verlag, 1984)]
- Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982) с. 419. [Пер. с англ. Amorphous Semiconductors, ed. by M.H. Brodsky (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg--N.Y., 1979)]
- S.K. Bahl, S.M. Bhagat. J. Non-Cryst. Sol., 17, 409 (1983)
- M.Ya. Bakirov, B.A. Najafov, V.S. Mamedov, R.S. Madatov. Phys. St. Sol. (a), 114, 45 (1989).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук