"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Магнитооптические исследования висмута при температуре 80--280 K
Грабов В.М.1, Иванов К.Г.2, Зайцев А.А.3
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна, Санкт-Петербург, Россия
3Елецкий государственный педагогический институт, Елец, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

В образцах, представляющих собой две разделенные зазором симметричные половинки монокристалла висмута, измерен коэффициент пропускания инфракрасного излучения (lambda=10.6 мкм) в зависимости от индукции импульсного магнитного поля. Осцилляции, связанные с межзонными переходами на уровнях Ландау, наблюдались в интервале температур от 80 до 280 K. Определены температурные зависимости ширины запрещенной зоны, эффективных масс и времени релаксации носителей заряда.
  1. К.Г. Иванов, О.В. Кондаков, С.В. Бровко, А.А. Зайцев. ФТП, 30, 1585 (1996)
  2. С.В. Бровко, А.А. Зайцев, К.Г. Иванов, О.В. Кондаков. ФТП, 31, 416 (1997)
  3. R.N. Brown, J.G. Mavroides, B. Lax. Phys. Rev., 129, 2051 (1963)
  4. M.P. Vecchi, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 10, 771 (1974)
  5. M.P. Vecchi, J.R. Pereira, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 14, 298 (1976)
  6. E.E. Mendez, A. Misu, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 24, 639 (1981)
  7. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводниковых материалов в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968)
  8. F.E. Macfarlane. J. Phys. Chem. Sol., 32, Suppl. N1, 989 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.