Вышедшие номера
Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции по шлифу эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN на сапфире
Усиков А.С.1, Третьяков В.В.1, Бобыль А.В.1, Кютт Р.Н.1, Лундин В.В.1, Пушный Б.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Проведено исследование структурных свойств и пространственных неоднородностей слоев AlxGa1-xN, выращенных на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Обнаружено неравномерное распределение Al по толщине эпитаксиальных слоев, полученных при постоянных потоках ростовых компонент. На основе данных рентгенодифракционного анализа и катодолюминесценции предложена модель формирования слоев с композиционным профилем. Установлено, что однородные образцы удается получить путем увеличения потока триметилалюминия на начальной стадии роста слоя относительно всего последующего процесса роста. Показано, что снижение скорости роста позволяет уменьшить напряжения в эпитаксиальном AlxGa1-xN-слое. Обсуждается влияние напряжений на люминесцентные свойства выращенных слоев.