"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Памяти Измаила Артуровича Аброяна
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

[!t] [width=]abroyan.eps 1 марта 2000 года на 67 году жизни скончался выдающийся ученый в области взаимодействия ускоренных заряженных частиц с твердым телом, заведующий кафедрой "Прикладная физика и оптика твердого тела" Санкт-Петербургского государственного технического университета (СПбГТУ), доктор физико-математических наук, профессор Измаил Артурович Аброян. Измаил Артурович родился 26 августа 1933 года в Петрозаводске, но всю свою сознательную жизнь, исключая годы блокады, прожил в Ленинграде/Санкт-Петербурге. В 1957 году он закончил радиотехнический (теперь радиофизический) факультет Ленинградского политехнического института (ЛПИ, ныне СПбГТУ) по специальности "Физическая электроника. Промышленная электроника". С тех пор И.А. Аброян беспрерывно работал в ЛПИ/СПбГТУ сначала на кафедре "Физическая электроника" ассистентом (1957-1964), доцентом (1964-1972) и профессором (1972-1982). С 1982 года он - профессор кафедры "Физика плазмы", а с 1986 года - профессор, заведующий кафедрой "Физика диэлектриков и полимеров", которая с 1994 года стала кафедрой "Прикладная физика и оптика твердого тела". В течение 1981-1987 гг. И.А. Аброян был деканом радиофизического факультета. В 1963 году он защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата, а в 1971 году - доктора физико-математических наук. Начало научной деятельности И.А. Аброяна связано с исследованием ионно-электронной эмиссии полупроводников, щелочно-галоидных соединений и оксидных катодов. В результате удалось выяснить связь параметров, характеризующих данное явление, с особенностями зонной структуры облучаемых объектов. Эти работы естественным образом подвели И.А. Аброяна к следующему циклу исследований, цель которого состояла в определении эффективности возбуждения электронной подсистемы полупроводников при облучении их ионами в диапазоне энергий 0.1-10 кэВ, где, как предполагалось в то время, вероятность такого процесса очень мала. Однако, как было показано уже в первой работе И.А. Аброяна на данную тему (совместно с В.А. Зборовским, 1962 г.), генерация электронно-дырочных пар в полупроводниках весьма существенна даже для ионов с энергией на 1-2 порядка ниже, чем общепринятый тогда порог Зейтца. Именно на эту работу И.А. Аброяна ссылается И. Линдхард при опубликовании своей классической теории торможения ионов в веществе. Последующие исследования с участием В.А. Корюкина, А.И. Титова, Л.А. Цихновичера и др. позволили представить полную картину возбуждения электронов в полупроводниках различными ионами в данном энергетическом диапазоне. Начало 60-х годов ознаменовалось открытием таких явлений при взаимодействии ускоренных ионов с монокристаллами, как эффекты каналирования и блокировки. И.А. Аброян являлся одним из первых исследователей этих эффектов. В частности, им с сотрудниками была открыта анизотропия возбуждения электронов в монокристаллах полупроводников и диэлектриков при бомбардировке их ионами, а также электронами. Базируясь на обширных исследованиях анизотропии взаимодействия ионов и электронов с кристаллическими твердыми телами, И.А. Аброян с сотрудниками (В.С. Беляков, О.А. Подсвиров и А.И. Титов) предложил и развил два новых метода контроля структуры приповерхностных слоев кристаллов. Использование этих оригинальных методов, а также других традиционных методик позволило в конце 60-х годов начать фундаментальные исследования радиационного повреждения полупроводников при ионном облучении. Эти исследования И.А. Аброяна совместно с его учениками (В.С. Белаков, Л.М. Никулина, А.И. Титов, А.В. Хлебалкин и др.) оказались очень плодотворными и составляли основу его научной деятельности до конца жизни. В результате были выявлены основные закономерности повреждения структуры полупроводников при их бомбардировке медленными ионами, при имплантации в них легких ионов средних энергий и поняты механизмы наблюдаемых эффектов. В частности обнаружена и объяснена неаддитивность и некоммутативность процессов накопления дефектов. Были выяснены зависимости эффектов ионно-стимулированного восстановления кристаллической структуры (стимулированные низкотемпературный отжиг дефектов и эпитаксиальная кристаллизация аморфных слоев) от параметров ионного облучения и свойств мишеней. Обнаружены особенности повреждения структуры кремния при переходе от бомбардировки атомарными легкими ионами к молекулярным ионам. -1 По результатам своих научных исследований И.А. Аброяном с коллегами было опубликовано более 150 работ, в том числе два обзора в журнале "Успехи физических наук", одна монография и первый в нашей стране (1984 г.) учебник по физическим основам электронной и ионной технологии. И.А. Аброян принимал участие в более 60 международных и всесоюзных конференциях и симпозиумах, на многих из которых являлся председателем или членом программных и организационных комитетов. И.А. Аброян был членом советов Российской академии наук (РАН) по проблемам "Физика плазмы" и "Радиационная физика твердого тела". Не менее важным, чем научная деятельность, для И.А. Аброяна была педагогическая работа. Он был одним из самых любимых и уважаемых студентами лекторов СПбГТУ, который подготовил и читал большое число оригинальных лекционных курсов. Для него всегда была чрезвычайно важна обратная связь, уровень понимания студентами материала, их мнение о курсе лекций. И.А. Аброян являлся научным руководителем большого числа студенческих дипломных работ и магистерских диссертаций, подготовил 10 кандидатов наук и был научным консультантом по 2 докторским диссертациям. Кроме того, будучи специалистом высочайшего класса в своей области, И.А. Аброян обладал глубокими знаниями и в других разделах физики. Сочетание высокой принципиальности и в то же время доброжелательности, характерное для И.А. Аброяна, привело к тому, что он был одним из самых желаемых оппонентов у соискателей ученых степеней и обладал исключительно высоким авторитетом во всех ученых советах по присуждению степеней. Вследствие этого число ученых, которых он "выпустил в свет", чрезвычайно велико. И.А. Аброян сам был председателем и членом многих докторских и кандидатских советов при СПбГТУ и РАН. Много сил И.А. Аброян отдал улучшению методики преподавания в высшей школе. В течение десятков лет он был членом и председателем методического совета радиофизического факультета, членом методического совета СПбГТУ, на протяжении 15 лет - членом Научно-методического совета Министерства высших учебных заведений СССР по электронике. Именно им было предложено ввести новое направление подготовки специалистов в России - "Техническая физика", по которому в настоящее время осуществляется подготовка студентов во многих ведущих вузах страны. И.А. Аброян был заместителем председателя научно-методического совета Министерства образования по данному направлению с момента его организации до последних своих дней. Измаил Артурович был прекрасным человеком, искренним, порядочным, благородным, с большим чувством ответственности за все дела, за которые брался. Он был требователен к сотрудникам, но, прежде всего, требователен к себе и обладал колоссальной работоспособностью. Демократизм и гражданственность не были для него пустыми словами. Все это в сочетании с дружеским расположением к людям, чувством юмора, оригинальным умом и глубокой эрудицией всегда вызывало большую симпатию даже у тех, кто не был с ним близко знаком. Светлая память об Измаиле Артуровиче Аброяне, Человеке с большой буквы, Ученом и Учителе, навсегда сохранится с наших сердцах. Коллеги, друзья и редколлегия журнала ФТП [!tb]
  1. Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures, ed. by H. Grabert, M.H. Devoret. [NATO ASI Series B: Physica (N. Y., Plenum, 1992) v. 294]
  2. Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 3 (1998)
  3. Intern. Int. J. Electron., 86(5) (1999)
  4. И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 33(11), 1388 (1999)
  5. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Е.Г. Новик. Письма ЖТФ, 24(8), 16 (1998)
  6. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, С.С. Ивашкевич, Е.Г. Новик. Матер. 7-й межд. крымской микроволновой конф., КрыМиКо'97 (Севастополь, 1997) с. 398
  7. И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, 2000)
  8. R.H. Chen, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 72(1), 61 (1998)
  9. J.G. Simmons. J. Appl. Phys., 34(6), 1793 (1963)
  10. J. Shirakashi, K. Matsumoto, N. Miura, M. Konagai. Japan. J. Appl. Phys., 36(9A/B), L1257 (1997)
  11. И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Матер. 9-й межд. крымской микроволновой конф., КрыМиКо'99 (Севастополь, 1999) с. 292

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.