Исследованы высокочастотные характеристики фоточувствительных лавинных структур Si-SiC. Показано, что их быстродействие существенно выше, чем быстродействие кремниевых лавинных фотодиодов. Проведен теоретический анализ высокочастотных свойств лавинных фотодиодов, получены аналитические выражения для произведения ширины полосы на коэффициент усиления. Показано, что для структур типа металл-диэлектрик-полупроводник с отрицательной обратной связью это произведение не является универсальным параметром, поскольку при высоких коэффициентах усиления эффективная величина отношения коэффициентов ударной ионизации различными типами носителей заряда в таких структурах оказывается существенно иной, чем в лавинных фотодиодах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.