"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Энергия ионизации меди в кристаллах Hg0.8Cd0.2Te при слабом и промежуточном легировании
Богобоящий В.В.1
1Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
Поступила в редакцию: 9 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Исследовано удельное сопротивление и эффект Холла в легированных медью кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te в интервалах температур 4.2-125 K и концентраций Cu от 2.6·1015 до 2·1018 см-3. Показано, что традиционный метод определения энергии ионизации примесей по углу наклона зависимости RH(T) в данном случае неприменим. Для получения корректных результатов необходимо учитывать строение примесной зоны и экранирование заряда примеси свободными носителями тока. Предложена упрощенная модель структуры примесной зоны, позволяющая рассчитать энергию ионизации акцепторов при слабом легировании и слабой компенсации. В рамках такого подхода найдено, что энергия ионизации меди при T=0 слабо зависит от ее концентрации и для изолированного акцептора равна EA=7.6 мэВ, что совпадает с теоретическим значением. При конечных температурах энергия ионизации акцепторов заметно уменьшается в результате экранирования.
  1. Н. Мотт, Е. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
  2. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  3. И.М. Цидильковский, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках (Свердловск, 1987)
  4. M.C. Chen, J.H. Tregilgas. J.Appl. Phys., 61 (2), 787 (1987)
  5. В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафеев, В.Н. Северцев. ФТП, 21 (8), 1469 (1987)
  6. V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
  7. А.И. Елизаров, В.В. Богобоящий, Н.Н. Берченко. ФТП, 24 (3), 446 (1990)
  8. N.F. Mott. J. Non-Cryst. Sol., 1, 1 (1968)
  9. J.R. Mayer, F.J. Bartoli, C.A. Hoffman. J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (5), 3035 (1987)
  10. M.A. Berding, S. Krishnamurthy, A. Sher, A.-B. Chen. J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (5), 3014 (1987)
  11. И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос, И.Я. Янчев. ФТП, 11, (2), 257 (1977)
  12. А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 15 (5), 927 (1981)
  13. А.И. Елизаров, В.В. Богобоящий, Н.Н. Берченко. ФТП, 18 (3), 455 (1984)
  14. Б.Л. Гельмонт, А.Р. Гаджиев, Б.Л. Шкловский, И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос. ФТП, 8 (12), 2377 (1974)
  15. Б.Л. Гельмонт, М.С. Дьяконов. ФТП, 5 (11), 2191 (1971)
  16. А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой квантовой фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984) с. 126

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.