"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектральный сдвиг полос фотолюминесценции эпитаксиальных пленок (SiC)1-x(AlN)x, обусловленный лазерным отжигом
Сафаралиев Г.К.1, Эмиров Ю.Н.1, Курбанов М.К.1, Билалов Б.А.1
1Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 4 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Исследовано влияние лазерного отжига на фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных пленок (SiC)1-x(AlN)x. Выдвинуто предположение о том, что отжиг приводит к выбиванию атомов Al и N из узлов и образованию центров свечения - донорно-акцепторных пар AlSi-NC. В соответствии с этой моделью увеличение времени отжига сопровождается образованием донорно-акцепторных пар с наименьшими межатомными расстояниями за счет ассоциатов отдаленных друг от друга дефектов и, соответственно, к сдвигу соответствующей полосы фотолюминесценции в высокоэнергетическую область спектра.
  1. Г.П. Яблонский. ФТП, 18, 918 (1984)
  2. Г.П. Яблонский. ФТТ, 26, 995 (1984)
  3. В.И. Левин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 18, 1194 (1984)
  4. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
  5. Справочник по электротехническим материалам (Л., Энергоатомиздат, 1988) т. 3, с. 464
  6. Ю.Н. Эмиров, Г.К. Сафаралиев, С.А. Ашурбеков. М.К. Курбанов. ФТП, 28, 1991 (1994)
  7. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1979) с. 164
  8. А.С. Бережной. Кремний и его бинарные системы (Киев, Изд-во АН УССР, 1958)
  9. А.И. Венгер, Ю.А. Водаков. Письма ЖТФ, 6, 1319 (1981)
  10. K. Srinivasan, R. Srinivasan. Proc. Nucl. Phys. Sol. St. Phys. Symp. (Bombay, 1972) v. 14c, S1, p. 273
  11. А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, Ю.В. Озеров, И.М. Тигиняну. Тр. ФИ АН СССР (М., 1985) N 163, p. 39

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.