"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительность структур на основе монокристаллов ZnSe
Ильчук Г.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3, Бекимбетов Р.Н.3, Иванов-Омский В.И.3, Украинец Н.А.3
1Государственный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Термообработкой в вакууме и воздушной среде получены фоточувствительные структуры на основе монокристаллов ZnSe. Исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур в естественном и линейно поляризованном излучении. Обнаружена и исследована поляризационная фоточувствительность структур на основе ZnSe в зависимости от условий их создания и геометрии фоторегистрации. Показано, что фотоплеoхроизм в этих структурах возникает при наклонном падении поляризованного излучения. Установлено, что термообработка ZnSe в воздушной среде вызывает понижение фотоплеoхроизма, что связывается с интерференционными явлениями в образующихся слоях. Сделан вывод о возможностях применения ZnSe в поляриметрических фотодетекторах коротковолнового диапазона и о новом подходе в диагностике процессов взаимодействия на поверхности ZnSe.
  1. M. Aveu, J.S. Prener. Physics and Chemistry of II--VI Compounds (North--Holland Publ. Co., Amsterdam, 1967)
  2. Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
  3. L.A. Kolodziejski, R.G. Gunshor, N. Otsuka, P.B. Gu, Y. Hefetz, A.V. Nurmiko. Appl. Phys. Lett., 48, 1482 (1986)
  4. J. Misiewicz, C. Huber, D. Heiman. Japan. J. Appl. Phys., 32, 372 (1993)
  5. A.L. Gurskii, E.V. Lutsenko, G.P. Yablonskii, V.I. Kozlovsky, A.B. Krysa, J. Sollner, H. Hamadeh, M. Heuken. Cryst. Res. Technol., 31, 705 (1996)
  6. A. Burger, M. Roth. J. Cryst. Growth, 70, 386 (1984)
  7. B.L. Sharma, P.K. Purohit. Semiconductor Heterostructures (Pergamon Press, Holl., 1974)
  8. А.В. Симашкевич. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (Кишинев, Штиинца, 1980)
  9. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1978)
  10. Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)
  11. Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
  12. R.M.A. Azzam, N.M. Bashara. Ellipsometry and Polarized Light (North--Holland Publ. Co., Amsterdam, 1977)
  13. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 245 (1997)
  14. Т. Вальтер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Г.В. Шок. ФТП, 31, 806 (1997)
  15. А. Бердинобатов, Н. Назаров, В.М. Саркисова, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32, 642 (1998)
  16. V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', H.W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67--68, 421 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.