"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Магнетосопротивление компенсированного Ge : As на сверхвысоких частотах в области фазового перехода металл--изолятор
Вейнгер А.И.1, Забродский А.Г.1, Тиснек Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Изучено магнетосопротивление (МС) сильно легированного и компенсированного Ge : As вблизи перехода металл--изолятор как на металлической, так и на изоляторной его стороне. Измерения проводились на сверхвысоких частотах, для чего была использована бесконтактная техника электронного парамагнитного резонанса. Полевые и температурные зависимости производной МС в металлических образцах выявляют две главные особенности эффекта: отрицательное МС в слабых полях, возникающее в результате слабой локализации, и положительное МС в сильных полях, возникающее в результате взаимодействия электронов в диффузионном канале. В изоляторных образцах наблюдается только слабое отрицательное МС с поведением, характерным для слабых полей. Результаты сравниваются с теорией квантовых поправок.
  1. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Electron--electron interaction in disordered сonductors. In: Modern Problems in Condensed Matter Sciences, ed. by V.M. Agranovich and A.A. Maradudin, vol. 10. Electron--Electron Interaction in Disordered Systems, vol. editors: A.L. Efros, M. Pollak (North-Holland, Amsterdam, Oxford, Tokio, 1985) p. 1
  2. Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23(1), 1 (1989). [In transl.: Sov. Phys. Semicond, 23, 1 (1989)]
  3. B.I. Shklovskii, B.Z. Spivak. In: Hopping Transport in Solids, ed. by M. Pollak and B. Shklovskii (Elsevier, 1991) p. 271
  4. M.E. Reikin, J. Czingon, Qin-Yi Ye, F. Koch et al. Phys. Rev. B, 45, 6015 (1992)
  5. Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Д.В. Шамшур. ЖЭТФ, 107, 2063 (1995)
  6. H.L. Zhao, B.Z. Spivak, M.P. Gelfand, S. Feng. Phys. Rev. B, 44, 10 760 (1991)
  7. A. Kurobe, H.J. Kamamura. Phys. Soc. Japan, 51, 1904 (1982)
  8. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Ж. Бискупски. ФТП, 32, 557 (1998)
  9. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП (в печати)
  10. А.Г. Забродский. ФТП, 14, 1130 (1980)
  11. А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984)
  12. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  13. A.N. Ionov, I.S. Shlimak. Hopping Conduction in Heavily Doped Semiconductors. In: Hopping Transport in Solids, ed. by M. Pollak and B. Shklovskii (Elsevier North-Holland, 1991) p. 397

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.